超薄层常压外延工艺研究

为了满足一种3mm雪崩渡越二极管的技术要求,改进了常压外延工艺,在PE-2061S硅外延设备上,实现了100mm硅片超薄外延层的生长。外延层厚度为0.45～0.55μm,外延层与衬底之间的过渡区宽度大于0.2μm。过渡区宽度以及外延层厚度和掺杂浓度的精确控制,提高了器件的微波性能。

低电容TVS用常压外延工艺研究

低电容瞬态电压抑制器(TVS)由高阻外延的雪崩二极管与低阻衬底的导引二极管组合而成。区别于常规的单片减压外延工艺,在常压外延条件、多片生长模式下,通过衬底背面的自吸硅以及低温长缓冲层工艺,有效抑制了外延过程中的自掺杂,在P型重掺衬底上生长出薄层高阻的N型外延层,降低了低电容TVS雪崩二极管的反向击穿电压,提高了浪涌抑制能力。