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常压等离子体化学气相沉积制备UHMWPE/SiO_xC_yH_z锂离子杂化隔膜 被引量:5
1
作者 王超梁 彭释 +2 位作者 戴协 石建军 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期179-184,共6页
采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)方法裂解六甲基二硅氧烷(HMDSO),在高强高模聚乙烯(UHMWPE)隔膜表面进行沉积,形成双面微纳米颗粒膜涂覆的UHMWPE/SiO_xC_yH_z杂化隔膜,并分别通过扫描电子显微镜(SEM)、衰减全反射傅里叶变换红外光... 采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)方法裂解六甲基二硅氧烷(HMDSO),在高强高模聚乙烯(UHMWPE)隔膜表面进行沉积,形成双面微纳米颗粒膜涂覆的UHMWPE/SiO_xC_yH_z杂化隔膜,并分别通过扫描电子显微镜(SEM)、衰减全反射傅里叶变换红外光谱(ATR-FTIR)、热性能测试方法等,研究了不同O2/HMDSO流量比对杂化隔膜结构与热性能的影响.研究结果表明,沉积薄膜为具有一定结晶特性的SiO_xC_yH_z微纳米颗粒薄膜,具有较好的多孔特性及与UHMWPE隔膜纤维的黏结.随着O2/HMDSO流量比的增加,在颗粒薄膜的亲水性、透气率及对隔膜的覆盖率提高的同时,明显地改善了杂化隔膜的耐热收缩性能,120℃下热处理30 min,热收缩率仅为2%左右,在具有较高耐热性要求的锂离子动力电池隔膜方面具有很好的应用前景. 展开更多
关键词 常压等离子体化学气相沉积(APECVD) SiOxCyHz多孔纳米颗粒薄膜 高强高模聚乙烯(UHMWPE) 离子电池隔膜 热收缩
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纳米多孔硅基薄膜的常压等离子体化学气相沉积过程研究 被引量:3
2
作者 夏磊 周荃 +1 位作者 徐金洲 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期117-121,共5页
采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)的方法制备了带有新颖结构和特殊蓝紫光(400nm左右)发光特性的硅基薄膜.通过在自行研制的等离子体反应装置中通入按100∶1∶1的体积比进行配比的SiH4∶H2∶Ar混合气体进行APECVD,在加负偏压条件下... 采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)的方法制备了带有新颖结构和特殊蓝紫光(400nm左右)发光特性的硅基薄膜.通过在自行研制的等离子体反应装置中通入按100∶1∶1的体积比进行配比的SiH4∶H2∶Ar混合气体进行APECVD,在加负偏压条件下获得了由Si基组成的絮状多孔纳米结构薄膜.通过等离子体发射光谱测定了沉积过程中的电子温度在2.2eV左右,扫描电子显微镜(SEM)观测薄膜表面形貌后肯定了偏压对薄膜纳米结构的形成起着重要的作用. 展开更多
关键词 常压等离子体化学气相沉积(APECVD) 多孔硅基薄膜 负偏 荧光(PL)
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等离子体增强化学气相沉积设备的技术要点及性能分析
3
作者 任想想 《模具制造》 2024年第7期150-152,共3页
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是一种重要的表面涂覆技术,可用于制备薄膜材料。对此,需要研究并分析等离子体增强化学气相沉积设备的技术要点和性能,介绍PECVD设备的基本构成和工作原理,研究PECVD设备的关键技术要点。其中,气体供给... 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是一种重要的表面涂覆技术,可用于制备薄膜材料。对此,需要研究并分析等离子体增强化学气相沉积设备的技术要点和性能,介绍PECVD设备的基本构成和工作原理,研究PECVD设备的关键技术要点。其中,气体供给系统的精确控制是实现均匀沉积薄膜的关键。为了提高沉积速率和薄膜质量,需优化反应室的设计以确保等离子体的均匀分布和稳定性。此外,射频电源的功率和频率的选择也对薄膜质量有重要影响。实践证明,通过研究技术要点和性能分析,可进一步优化设备参数,提高薄膜质量和沉积效率,为相关领域研究提供有力支持。 展开更多
关键词 等离子体 化学沉积设备 技术要点 性能分析
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等离子体增强化学气相沉积法制备类金刚石薄膜研究综述 被引量:2
4
作者 马会中 路军涛 张兰 《科学技术与工程》 北大核心 2023年第18期7597-7606,共10页
类金刚石薄膜由于其独特的物理化学特性,使得该薄膜在光学、电学、机械、医学、航空航天等领域得到了广泛应用。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)制备类金刚石是近几十年兴起的新的制备类金... 类金刚石薄膜由于其独特的物理化学特性,使得该薄膜在光学、电学、机械、医学、航空航天等领域得到了广泛应用。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)制备类金刚石是近几十年兴起的新的制备类金刚石薄膜的方法,因其对沉积温度要求低,对基底友好,同时还具有沉积速率快和无转移生长的优势,获得了越来越多的研究者关注。详细介绍了类金刚石薄膜优异的特性,阐述了在等离子化学气相沉积条件下,不同沉积条件对沉积类金刚石薄膜结构特性的影响。衬底的选择直接影响着沉积类金刚石薄膜的性能,不同的衬底直接决定着生成类金刚石结构中sp^(3)相的数量和质量;沉积参数是最为常见的控制条件,对沉积薄膜的总体效果影响也是最大的,改变沉积参数,沉积薄膜的表面将会变得更加光滑致密;常用的掺杂元素是硅和氮,掺杂元素的引入往往是为了降低沉积薄膜的内应力,提高与衬底间的结合力,延长使用寿命等;由于很难直接在金属上沉积类金刚石薄膜,所以常通过制备复合层来改善沉积效果。最后对类金刚石薄膜的发展以及今后研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 等离子体增强化学沉积(PECVD) 类金刚石薄膜 沉积条件 掺杂 复合层
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常压等离子体增强化学气相沉积纳米晶TiO_2多孔薄膜的研究 被引量:3
5
作者 李岩 徐绍魁 +1 位作者 徐金洲 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期108-113,共6页
采用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法及TiCl4/O2混合气体在常温常压下可制备纳米晶TiO2多孔薄膜.利用偏光显微镜分析(PM)、扫描电子显微镜分析(SEM)、高分辨透射电镜分析(HRTEM)、X光衍射分析(XRD)等检测手段,系统地对纳米晶TiO... 采用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法及TiCl4/O2混合气体在常温常压下可制备纳米晶TiO2多孔薄膜.利用偏光显微镜分析(PM)、扫描电子显微镜分析(SEM)、高分辨透射电镜分析(HRTEM)、X光衍射分析(XRD)等检测手段,系统地对纳米晶TiO2多孔膜表面形貌以及成分进行表征.研究结果表明:使用等离子体化学气相沉积方法,可以在常温常压下快速沉积纳米晶TiO2多孔薄膜,并且PE-CVD与传统的化学方法相比具有低能耗、低污染、方法简便、成本低等优点,是具有良好发展前景的纳米晶多孔薄膜制备新方法. 展开更多
关键词 等离子体增强化学沉积(PE-CVD) TiO2多孔薄膜 纳米晶结构
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微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸单晶金刚石的研究进展 被引量:1
6
作者 牟草源 李根壮 +4 位作者 谢文良 王启亮 吕宪义 李柳暗 邹广田 《电子与封装》 2023年第1期30-39,共10页
金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而,高品质、大面积(大于2英寸)单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法(MPC... 金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而,高品质、大面积(大于2英寸)单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)获得大尺寸金刚石单晶衬底的技术方案,即单颗金刚石生长、拼接生长以及异质外延生长。综述了大尺寸单晶金刚石外延生长及其在电子器件领域应用的研究进展。总结了大尺寸单晶金刚石制备过程中面临的挑战并提出了潜在的解决方案。 展开更多
关键词 金刚石 微波等离子体化学沉积 三维生长 拼接生长 异质外延
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新型微波等离子体化学沉积装置的数值仿真
7
作者 张朝琦 汪启军 罗先炽 《武汉轻工大学学报》 CAS 2024年第3期90-98,共9页
为了解决2.45 GHz微波等离子体化学沉积(MPCVD)装置沉积金刚石面积小、质量低的问题,提出了一款新型915 MHz半球形的MPCVD装置,并使用COMSOL软件对装置的结构进行优化设计。优化结果表明,当薄板与中心轴的距离为70 mm时,顶部电场强度仅... 为了解决2.45 GHz微波等离子体化学沉积(MPCVD)装置沉积金刚石面积小、质量低的问题,提出了一款新型915 MHz半球形的MPCVD装置,并使用COMSOL软件对装置的结构进行优化设计。优化结果表明,当薄板与中心轴的距离为70 mm时,顶部电场强度仅为500 V/m,可以有效屏蔽谐振腔顶部次生电场的产生。将气体入口设置在谐振腔顶部时,气流会从基片台上均匀地横向扩散到底部排气孔,保证了反应物在基片台上的均匀分布。腔体底部的调谐机构可将谐振腔内的电场强度维持在4000 V/m以上,以确保金刚石的生长条件。优化设计了同轴天线穿过矩形波导的距离和同轴波导中心到短路活塞的距离,将反射系数S11降低到-8.7 dB。设计的新型915 MHz MPCVD装置可在高功率、高气压条件下沉积大面积、高质量的金刚石薄膜,具有实际应用价值。 展开更多
关键词 微波等离子体化学沉积装置 数值仿真 915 MHz 金刚石
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H_(2)对HfO_(2)衬底上等离子体增强化学气相沉积石墨烯的影响
8
作者 杨玉帅 王伟 +3 位作者 樊瑞祥 王凯 武海进 马勤政 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期78-84,共7页
HfO_(2)薄膜和石墨烯是用于制作石墨烯场效应晶体管的主要材料,而采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)在HfO_(2)衬底上原位生长石墨烯是极具潜力的一种石墨烯制备方法,这种方法有助于降低石墨烯转移过程对石墨烯质量的影响,从而提高... HfO_(2)薄膜和石墨烯是用于制作石墨烯场效应晶体管的主要材料,而采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)在HfO_(2)衬底上原位生长石墨烯是极具潜力的一种石墨烯制备方法,这种方法有助于降低石墨烯转移过程对石墨烯质量的影响,从而提高石墨烯场效应晶体管的性能。使用真空电子束蒸镀方法在重掺杂单抛硅片衬底上分别于50、150、250℃下沉积了100 nm厚的HfO_(2)薄膜样品;随后选用最优质量的HfO_(2)薄膜作为生长石墨烯的衬底,采用PECVD方法在温度为600℃、CH4流速为4 sccm的条件下,以不同的H2流速(0、5、10、15、20 sccm)原位生成石墨烯薄膜。结果显示,150℃下蒸镀的HfO_(2)薄膜粗糙度最低,表面最平整,同时也拥有最佳的介电性能。当H2流速为10 sccm时,可获得少层石墨烯薄膜,此时的石墨烯薄膜缺陷最小,表面平整且连续性好。通过对HfO_(2)衬底上石墨烯的生长机理进行分析发现,HfO_(2)衬底的低表面能导致含碳物种难以吸附到衬底上,石墨烯不易生长,但适当的H2参与可以有效降低CH4裂解反应的活化能,促进CH4的裂解,有利于生长出大面积的连续型石墨烯薄膜。 展开更多
关键词 HfO_(2)薄膜 石墨烯 真空电子束蒸镀 等离子体增强化学沉积 H2 生长机理
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基于常压等离子体引发化学气相沉积法锡/碳/TiO_(2)纳米纤维的制备及其沉积参数探究 被引量:1
9
作者 唐海军 夏鑫 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期160-163,170,共5页
为研究等离子体引发化学气相沉积(PECVD)实验中距离和功率对基底材料以及生成的二氧化钛(TiO_(2))纳米颗粒形貌结构的影响,通过自主研发的常压PECVD(AP-PECVD)设备,以钛酸丁酯为钛源,在锡/碳(Sn/C)纳米纤维表面沉积大量的TiO_(2)纳米颗... 为研究等离子体引发化学气相沉积(PECVD)实验中距离和功率对基底材料以及生成的二氧化钛(TiO_(2))纳米颗粒形貌结构的影响,通过自主研发的常压PECVD(AP-PECVD)设备,以钛酸丁酯为钛源,在锡/碳(Sn/C)纳米纤维表面沉积大量的TiO_(2)纳米颗粒。通过扫描电镜和透射电镜观察了Sn/C/TiO_(2)纳米纤维的形貌结构,采用X射线衍射仪研究了Sn/C/TiO_(2)纳米纤维的晶形结构。结果表明:自主研发的设备沉积了大量的纳米颗粒;通过对功率和距离参数变化后沉积的Sn/C/TiO_(2)纳米纤维测试发现,当功率为100W、距离为7mm时,沉积上的纳米颗粒直径在10~30nm之间,纳米纤维形貌保持良好,纤维内部结构基本没有被破坏;沉积上的TiO_(2)纳米颗粒为非晶结构。 展开更多
关键词 等离子体引发化学沉积 沉积参数 锡碳纳米纤维 二氧化钛纳米颗粒
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偏压对低气压等离子体增强化学气相沉积TiO_2薄膜的结构和性能的影响 被引量:4
10
作者 刘伟 李岩 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期103-107,共5页
使用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法,以TTIP(Ti(OC3H7)4)为单体,用氧气为载气,以脉冲偏压为辅助在室温的玻璃基片上沉积无定型TiO2薄膜,分析探讨在射频等离子体增强化学气相沉积TiO2薄膜的过程中,基片上施加脉冲偏压和远离脉... 使用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法,以TTIP(Ti(OC3H7)4)为单体,用氧气为载气,以脉冲偏压为辅助在室温的玻璃基片上沉积无定型TiO2薄膜,分析探讨在射频等离子体增强化学气相沉积TiO2薄膜的过程中,基片上施加脉冲偏压和远离脉冲偏压的情况下成膜的比较.在沉积的过程中,利用USB-2000型光纤光谱仪对等离子体的发射光谱进行测量,定性分析等离子体沉积过程中的成分组成.用UV-1901探讨薄膜的光学特性,发现紫外和近紫外区域有一定吸收;用扫描电镜分析薄膜表面形貌的变化,可以看到偏压下的薄膜致密无孔,而远离偏压下的薄膜形貌粗糙;用红外光谱分析薄膜的结构组成,可以看到明显的Ti—O吸收峰.脉冲偏压下得到的薄膜在化学、光学以及电学方面有很好应用前景. 展开更多
关键词 TiO2 等离子体 脉冲偏 等离子体增强化学沉积(PE—CVD)
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连续压入法评定等离子体增强化学气相沉积(PECVD)TiN膜基结合强度
11
作者 谢飞 刘青林 +1 位作者 易茂中 何家文 《江苏石油化工学院学报》 1999年第2期4-7,共4页
介绍了一种新型涂层压入仪。对比了压入法、划痕法、接触疲劳法测定不同处理基体、同类PECVD TiN 膜基结合强度的变化规律。结果表明采用该压入仪, 运用连续加载压入法, 可方便地定性或半定量测定PECVD TiN 膜基结合... 介绍了一种新型涂层压入仪。对比了压入法、划痕法、接触疲劳法测定不同处理基体、同类PECVD TiN 膜基结合强度的变化规律。结果表明采用该压入仪, 运用连续加载压入法, 可方便地定性或半定量测定PECVD TiN 膜基结合优劣。该法所测临界载荷Pc 不仅反映膜基结合的优劣, 还反映了膜基体系的承载能力。 展开更多
关键词 膜基结合强度 入法 氮化钛 化学沉积 镀膜
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常压等离子体增强化学气相沉积法表面功能化聚酯织物 被引量:1
12
作者 K. H. Kale S. S. Palaskar +1 位作者 刘鹏(译) 罗艳(校) 《国际纺织导报》 2012年第4期39-40,42,共3页
对于纺织材料的表面改性来说,等离子体技术正成为一种新兴且环境友好的技术。等离子体技术在纺织品表面可沉积具有特殊功能的薄膜。阐述了一种常压等离子体增强化学气相沉积法表面改性100%聚酯织物的新型方法。通过傅里叶变换红外光谱... 对于纺织材料的表面改性来说,等离子体技术正成为一种新兴且环境友好的技术。等离子体技术在纺织品表面可沉积具有特殊功能的薄膜。阐述了一种常压等离子体增强化学气相沉积法表面改性100%聚酯织物的新型方法。通过傅里叶变换红外光谱研究了沉积于样品表面上相对于放电功率的等离子体聚合物化学和结构性质。采用雾化试验和接触角测量赋予织物诸如疏水等的功能特性。 展开更多
关键词 等离子体 表面改性 等离子体增强化学沉积
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大气压射频等离子体化学气相沉积TiO_2体系的发射光谱诊断 被引量:5
13
作者 常大磊 李小松 +1 位作者 赵天亮 朱爱民 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第3期625-630,共6页
开展了大气压射频(RF)等离子体化学气相沉积(PCVD)TiO2放电体系的发射光谱诊断研究,分别考察了氧气分压、钛酸四异丙酯(TTIP)分压和输入功率对氧原子谱线相对强度、氩原子激发温度、OH振动温度以及转动温度的影响.结果表明:随着氧气分... 开展了大气压射频(RF)等离子体化学气相沉积(PCVD)TiO2放电体系的发射光谱诊断研究,分别考察了氧气分压、钛酸四异丙酯(TTIP)分压和输入功率对氧原子谱线相对强度、氩原子激发温度、OH振动温度以及转动温度的影响.结果表明:随着氧气分压的增加,氧原子谱线相对强度先迅速增加至峰值后缓慢下降,OH振动温度缓慢增加,而氩原子激发温度和OH转动温度基本不变.随着TTIP分压的增加,氧原子谱线相对强度下降,氩原子激发温度没有明显变化,而OH振动温度和转动温度增加.随着输入功率的增加,氧原子谱线相对强度下降,氩原子激发温度、OH振动温度和转动温度升高. 展开更多
关键词 射频等离子体 介质阻挡放电 等离子体化学沉积 发射光谱诊断 TIO2
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微波等离子体辅助化学气相沉积法低温合成定向碳纳米管阵列 被引量:19
14
作者 陈新 胡征 +4 位作者 王喜章 吴强 陈懿 杨绍光 都有为 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期731-733,共3页
Well aligned nanotubes with diameter of 30—50 nm have been synthesized on a porous alumina template by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MW PECVD). By this means, the control over either diameter o... Well aligned nanotubes with diameter of 30—50 nm have been synthesized on a porous alumina template by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MW PECVD). By this means, the control over either diameter or length of the nanotubes could be realized. The hollow structure and vertically aligned features have been verified by scanning electron and transmission electron microscopic images. In comparison with the reported fabrication methods, lower synthesis temperature (below 520 ℃) and simpler process (no negative dc bias applied) have been achieved, which could be of great importance for both theoretical research and pratical applications. 展开更多
关键词 碳纳米管阵列 微波等离子体 化学沉积 低温合成 孔性氧化铝模板
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脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜摩擦磨损特性研究 被引量:24
15
作者 马胜利 马大衍 +2 位作者 王昕 徐可为 介万奇 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期179-182,共4页
对比研究了脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜的摩擦磨损特性,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪及销-盘摩擦磨损试验机分析薄膜形貌和结合力,考察了不同沉积条件下2种薄膜的摩擦磨损过程及其影响因素.结果表明,TiCN薄膜具有... 对比研究了脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜的摩擦磨损特性,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪及销-盘摩擦磨损试验机分析薄膜形貌和结合力,考察了不同沉积条件下2种薄膜的摩擦磨损过程及其影响因素.结果表明,TiCN薄膜具有较高硬度、良好的膜基结合力,相对于TiN薄膜而言表现出更低的摩擦系数和更好的耐磨性能.在实际使用中应注重成分和结构优化设计,以保证薄膜具有良优良的减摩性能. 展开更多
关键词 硬质薄膜 PCVD 结合力 摩擦磨损性能 脉冲直流等离子体辅助化学沉积 TIN薄膜 TiCN薄膜
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微波等离子体化学气相沉积法低温制备直纳米碳管膜 被引量:11
16
作者 王升高 汪建华 +3 位作者 张保华 王传新 马志斌 满卫东 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期329-332,共4页
Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma c... Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma chemical vapor deposition me thods can synthesize CNTs at lower te mperature than thermal CVD.But in th e usual catalytic growth of CNTs by CVD,CNTs are often tangled together and have some defects.These will limit t he property research and potential applications.How to synthesize the str aight CNTs at low temperature become s a challenging issue.In this letter,s traight carbon nanotube(CNT)films were achieved by microwave pla sma chemical vapor deposition(MWPCVD)catalyzed by round Fe-Co-Ni alloy particles on Ni substrate at 610℃.It wa s found that,in our experimental condition,the uniform growth rate along the circumference of round alloy particles plays a very important role in the gro wth of straight CNT films.And because the substrate is conducting,the straight CNT films grown at low temperature ma y have the benefit for property research and offer the possibility to use t hem in the future applications. 展开更多
关键词 直纳米碳管膜 Fe-Co-Ni合金 微波等离子体化学沉积 低温 镍基板
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微波等离子体化学气相沉积法低温合成纳米碳管 被引量:12
17
作者 王升高 汪建华 秦勇 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第5期957-960,共4页
纳米碳管的低温合成是纳米碳管合成的一个重要研究方向 .在众多的合成方法中 ,化学气相沉积法 ,特别是等离子体化学气相沉积法在纳米碳管的低温合成方面意义重大 .本研究利用溶胶 -凝胶法结合等离子体还原 ,获得了负载在SiO2 上的纳米... 纳米碳管的低温合成是纳米碳管合成的一个重要研究方向 .在众多的合成方法中 ,化学气相沉积法 ,特别是等离子体化学气相沉积法在纳米碳管的低温合成方面意义重大 .本研究利用溶胶 -凝胶法结合等离子体还原 ,获得了负载在SiO2 上的纳米金属钴颗粒 .以甲烷为碳源、氢气为载气 ,在纳米金属钴颗粒的催化作用下 ,利用微波等离子体化学气相沉积法在低于 5 0 展开更多
关键词 纳米碳管 微波等离子体 化学沉积 低温合成 结构表征
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脉冲直流等离子体增强化学气相沉积Ti-Si-N纳米薄膜的摩擦磨损特性 被引量:9
18
作者 马大衍 王昕 +2 位作者 马胜利 徐可为 徐洮 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期476-479,共4页
采用工业型脉冲等离子体增强化学气相沉积设备,通过调节氯化物混合比例控制薄膜成分,在高速钢基材表面于550℃下沉积由纳米晶TiN和纳米非晶Si3N4组成的Ti-Si-N复合薄膜;采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪及X射线光电子... 采用工业型脉冲等离子体增强化学气相沉积设备,通过调节氯化物混合比例控制薄膜成分,在高速钢基材表面于550℃下沉积由纳米晶TiN和纳米非晶Si3N4组成的Ti-Si-N复合薄膜;采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪及X射线光电子能谱仪分析了薄膜的结构、组成和化学状态;采用球-盘高温摩擦磨损试验机考察了薄膜同GCr15钢对摩时的摩擦磨损性能.结果表明:薄膜的Si含量在0%~35%范围内变化,随着Si含量增大,薄膜沉积速率增大,但薄膜由致密形态向大颗粒疏松态过渡;薄膜的晶粒尺寸为7~50nm;Ti-Si-N薄膜的显微硬度高于TiN的硬度,最高可达60GPa;引入少量Si可以显著改善TiN薄膜的抗磨性能,但薄膜的摩擦系数较高(室温下约0.8、400℃下约0.7);随着Si含量的增加,Ti-Si-N薄膜的耐磨性能有所降低,其原因在于引入导电性较差的Si元素使得薄膜的组织变得疏松. 展开更多
关键词 等离子体增强化学沉积(PCVD) Ti—Si—N 纳米薄膜 摩擦磨损性能
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等离子体增强化学气相沉积氮化碳薄膜过程中的光学发射谱研究 被引量:4
19
作者 于威 王淑芳 +3 位作者 任国斌 李晓苇 张连水 傅广生 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期79-82,共4页
利用光学发射谱技术对直流辉光放电等离子体增强的化学气相沉积氮化碳薄膜过程中的等离子体进行了原位诊断 ,结果表明主要的辐射有N2 的第二正系跃迁、N+2 的第一负系跃迁、CN和NH的紫外跃迁。研究了气源中氢气含量、放电电流及沉积气... 利用光学发射谱技术对直流辉光放电等离子体增强的化学气相沉积氮化碳薄膜过程中的等离子体进行了原位诊断 ,结果表明主要的辐射有N2 的第二正系跃迁、N+2 的第一负系跃迁、CN和NH的紫外跃迁。研究了气源中氢气含量、放电电流及沉积气压的变化对N2 (337 1nm) ,N+2 (391 4nm)和CN(388 3nm)辐射强度的影响 ,并在此基础上探讨了这几种跃迁的激发机制 ,其结果为氮化碳合成中优化沉积参数。 展开更多
关键词 光学发射谱 等离子体增强 化学沉积 氮化碳薄膜
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微波等离子体化学气相沉积工艺对透明金刚石膜质量的影响 被引量:6
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作者 周健 余卫华 +1 位作者 汪建华 袁润章 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期445-449,共5页
在自制的 2 4 50MHz/5kW不锈钢谐振腔型微波等离子体化学气相沉积装置中研究了基片预处理和工艺参数对微波等离子体化学气相沉积金刚石膜质量的影响 ,研究了提高成核密度和沉积速率的方法 ,用SEM ,XRD ,FTIR ,Raman和AFM分析了金刚石膜... 在自制的 2 4 50MHz/5kW不锈钢谐振腔型微波等离子体化学气相沉积装置中研究了基片预处理和工艺参数对微波等离子体化学气相沉积金刚石膜质量的影响 ,研究了提高成核密度和沉积速率的方法 ,用SEM ,XRD ,FTIR ,Raman和AFM分析了金刚石膜的质量 .结果表明 :用纳米金刚石粉研磨单晶硅基片 ,在沉积气压 6.0kPa,CH4 /H2 的体积流量比为 0 .75%时 ,可沉积出红外透光率达 68% ,表面粗糙度为 1 1 4 .1 0nm的透明金刚石膜 ,其透光率接近Ⅱa 天然金刚石 . 展开更多
关键词 透明金刚石膜 微波等离子体 化学沉积
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