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一种低电荷注入误差的开关电流电路
被引量:
1
1
作者
虞海燕
林争辉
张海飞
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期589-592,596,共5页
对限制开关电流电路(SI)精度的主要因素以及开关电荷注入误差等问题进行了详细的分析。在此基础上,提出了两种消除开关电荷注入误差的可能结构:在常电压开关(CVS)基础上的dummy开关结构和基于CVS的全差分结构。其主要思想是将与信号...
对限制开关电流电路(SI)精度的主要因素以及开关电荷注入误差等问题进行了详细的分析。在此基础上,提出了两种消除开关电荷注入误差的可能结构:在常电压开关(CVS)基础上的dummy开关结构和基于CVS的全差分结构。其主要思想是将与信号大小有关的电荷注入误差变为与信号无关的电荷注入误差。并以此为基础,采用dummy结构或全差分结构,进一步消除该误差。用0.35μm模型参数进行了HSPICE仿真,结果证明,该结构能很好地降低电荷注入误差,提高SI电路的精度。
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关键词
开关
电流电路
电荷注入误差
常电压开关
全差分结构
dummy管
下载PDF
职称材料
题名
一种低电荷注入误差的开关电流电路
被引量:
1
1
作者
虞海燕
林争辉
张海飞
机构
上海交通大学电子工程系
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期589-592,596,共5页
基金
国家863高科技研究计划资助项目(2002AAIZ1190)
文摘
对限制开关电流电路(SI)精度的主要因素以及开关电荷注入误差等问题进行了详细的分析。在此基础上,提出了两种消除开关电荷注入误差的可能结构:在常电压开关(CVS)基础上的dummy开关结构和基于CVS的全差分结构。其主要思想是将与信号大小有关的电荷注入误差变为与信号无关的电荷注入误差。并以此为基础,采用dummy结构或全差分结构,进一步消除该误差。用0.35μm模型参数进行了HSPICE仿真,结果证明,该结构能很好地降低电荷注入误差,提高SI电路的精度。
关键词
开关
电流电路
电荷注入误差
常电压开关
全差分结构
dummy管
Keywords
Switched-current circuit
Charge injection error
Constant voltage switch
Fully differential configuration
Dummy MOSFET
分类号
TN401 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种低电荷注入误差的开关电流电路
虞海燕
林争辉
张海飞
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
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