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基于常规CMOS工艺的单层多晶硅EEPROM单元设计
被引量:
2
1
作者
葛优
邹望辉
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第7期719-724,共6页
设计了一种由两个MOS电容器和一个读取NMOS管构成的单层多晶硅EEPROM存储单元。该EEPROM单元可采用常规CMOS工艺实现,通过在两个MOS电容器端施加一定电压产生n阱和浮栅间电荷的富勒-诺德海姆隧穿效应,从而实现写入和擦除。该结构可以更...
设计了一种由两个MOS电容器和一个读取NMOS管构成的单层多晶硅EEPROM存储单元。该EEPROM单元可采用常规CMOS工艺实现,通过在两个MOS电容器端施加一定电压产生n阱和浮栅间电荷的富勒-诺德海姆隧穿效应,从而实现写入和擦除。该结构可以更为方便地实现对特定位单元进行位粒度的写入和擦除操作。通过常规0.35μm CMOS工艺制作了测试芯片,并搭建测试系统对其进行了测试,对EEPROM单元的写入、擦除、读取以及可靠性等特性进行了详细研究。测试结果表明,存储单元可以在16 V电压下,在小于1 ms时间内被写入,在小于10 ms时间内被擦除;并且在阈值电压窗口保持大于2.5 V的条件下至少循环7000次。
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关键词
单层多晶硅EEPROM
常规cmos工艺
MOS电容器
位粒度
富勒-诺德海姆隧穿效应
验证芯片
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职称材料
基于常规CMOS工艺的电子镇流器芯片设计
2
作者
黄浩峰
《电脑知识与技术》
2007年第9期1434-1436,共3页
分析当前主流电子镇流器控制芯片的优缺点,提出了一种适用于功率在20W以下节能灯控制芯片的设计方案。采用常规的CMOS铝栅工艺。整个控制芯片由主芯片和高压管驱动两块芯片组成,两管间通过自举电容耦合。自举电容起的作用:(1)隔离高...
分析当前主流电子镇流器控制芯片的优缺点,提出了一种适用于功率在20W以下节能灯控制芯片的设计方案。采用常规的CMOS铝栅工艺。整个控制芯片由主芯片和高压管驱动两块芯片组成,两管间通过自举电容耦合。自举电容起的作用:(1)隔离高压(2)传输高压功率管的控制信号。此设计方案的难点是设计出符合上述设计要求的高压管驱动芯片。此款芯片采用6μm CMOS铝栅工艺模型,经仿真验证,现已通过MPW流片成功。测试各项指标都达到设计要求。
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关键词
常规cmos工艺
自举
电容耦合
高压管驱动芯片
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职称材料
题名
基于常规CMOS工艺的单层多晶硅EEPROM单元设计
被引量:
2
1
作者
葛优
邹望辉
机构
长沙理工大学物理与电子科学学院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第7期719-724,共6页
基金
湖南省教育厅项目(20C0028)
湖南省自然科学基金(2020JJ4627)。
文摘
设计了一种由两个MOS电容器和一个读取NMOS管构成的单层多晶硅EEPROM存储单元。该EEPROM单元可采用常规CMOS工艺实现,通过在两个MOS电容器端施加一定电压产生n阱和浮栅间电荷的富勒-诺德海姆隧穿效应,从而实现写入和擦除。该结构可以更为方便地实现对特定位单元进行位粒度的写入和擦除操作。通过常规0.35μm CMOS工艺制作了测试芯片,并搭建测试系统对其进行了测试,对EEPROM单元的写入、擦除、读取以及可靠性等特性进行了详细研究。测试结果表明,存储单元可以在16 V电压下,在小于1 ms时间内被写入,在小于10 ms时间内被擦除;并且在阈值电压窗口保持大于2.5 V的条件下至少循环7000次。
关键词
单层多晶硅EEPROM
常规cmos工艺
MOS电容器
位粒度
富勒-诺德海姆隧穿效应
验证芯片
Keywords
single-poly EEPROM
standard
cmos
process
MOS capacitor
bit granularity
Fowler-Nordheim tunneling effect
test-chip
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于常规CMOS工艺的电子镇流器芯片设计
2
作者
黄浩峰
机构
东南大学IC学院
出处
《电脑知识与技术》
2007年第9期1434-1436,共3页
文摘
分析当前主流电子镇流器控制芯片的优缺点,提出了一种适用于功率在20W以下节能灯控制芯片的设计方案。采用常规的CMOS铝栅工艺。整个控制芯片由主芯片和高压管驱动两块芯片组成,两管间通过自举电容耦合。自举电容起的作用:(1)隔离高压(2)传输高压功率管的控制信号。此设计方案的难点是设计出符合上述设计要求的高压管驱动芯片。此款芯片采用6μm CMOS铝栅工艺模型,经仿真验证,现已通过MPW流片成功。测试各项指标都达到设计要求。
关键词
常规cmos工艺
自举
电容耦合
高压管驱动芯片
Keywords
stand
cmos
dual low voltage ICs
self-boost
capacitive coupling
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
基于常规CMOS工艺的单层多晶硅EEPROM单元设计
葛优
邹望辉
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2022
2
下载PDF
职称材料
2
基于常规CMOS工艺的电子镇流器芯片设计
黄浩峰
《电脑知识与技术》
2007
0
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职称材料
已选择
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