微电子封装中等离子体清洗及其应用

随着微电子工艺的发展,湿法清洗越来越局限,而干法清洗能够避免湿法清洗带来的环境污染,同时生产率也大大提高。等离子体清洗在干法清洗中优势明显,本文主要介绍了等离子体清洗的机理、类型、工艺特点以及在微电子封装工艺中的应用。

微电子工业中清洗工艺的研究进展

简要介绍了硅片表面污染物杂质的类型,综述了传统湿法清洗及干法清洗对硅片表面质量的影响,以及近年来清洗技术和理论的研究发展及现状;同时,阐述了污染物检测方法的研究进展;最后,对今后微电子清洗工艺的发展方向进行了展望。

半导体IC清洗技术

介绍了半导体IC制程中存在的各种污染物类型及其对IC制程的影响和各种污染物的去除方法,并对湿法和干法清洗的特点及去除效果进行了分析比较。

Si芯片表面纳米粒子的粘结力及其干法清除

系统地研究了纳米粒子在硅芯片表面的各种附着力，如范德瓦耳斯力、塑性形变吸附力、毛细现象凝聚力、静电力和重力附加力，以及高速流体对它的拖动力和提拉力，并简单计算了在各种情况下这些力的大小。介绍了干法清除纳米污染物的几种新方法，如超临界流体清除法、高速气凝胶清除法、激光清除法、气相化学清除法和光化学清除法。

半导体晶圆的污染杂质及清洗技术

介绍了半导体圆片存在的各种污染杂质的类型和去除方法,并概要总结了半导体圆片的清洗技术,对半导体圆片的湿法和干法清洗特点和去除效果进行了比较分析。

等离子体清洗及其在电子封装中的应用

等离子体工艺是干法清洗应用中的重要部分,随着微电子技术的发展,等离子体清洗的优势越来越明显。文章介绍了等离子体清洗的特点和应用,讨论了它的清洗原理和优化设计方法。最后分析了等离子体清洗工艺的关键技术及解决方法。

等离子清洗技术(一)

文章对等离子清洗技术做了全面介绍，不仅介绍了有关等离子的基本概念、低温等离子体制备技术及其相关装置，而且着重介绍了它在精密清洗中的应用及其注意事项，指出等离子清洗技术在淘汰ODS清洗剂过程中能够发挥重要作用。

微电子工艺中的清洗技术进展

分析表明,微电子产品在制造过程中由于污染物的影响,降低了合格率,需要进行有效的清洗。阐述微电子工艺中的湿法清洗、干法清洗技术,现状与技术发展的展望。

锗抛光片表面清洗研究进展

论述了锗晶片表面清洗的不同方法以及表面清洗的机理。锗晶片的表面清洗分为干法清洗和湿法清洗。湿法清洗一般采用氧化、剥离的清洗原理,即首先采用氧化性溶液将锗晶片表面进行氧化,然后再用一定的化学方法将晶片表面的氧化物去除,从而实现对晶片表面的清洗。干法清洗是采用气相化学法去除晶片表面污染物,主要包含热氧化法和等离子清洗法。

微电子制造科学与技术计划中的硅片清洗

在由得州仪器公司、美国国防部远景规划局和美国空军联合资助的微电子制造科学与技术（ＭＭＳＴ）计划中，硅片清洗的目标是开发旨在完全取代湿法清洗工艺的单片、全干法或汽相清洗工艺。氢氟醚（ＨＦ）汽相清洗和等离子体处理在去除氧化物、氮化物和金属刻蚀后的残余物方面取得了成功。但是，有效的干法工艺并不能取代炉前清洗所用的工业标准（ＲＣＡ）清洗和水冲洗。全干法工艺可能都还要花５到１０年才能成熟。以后几年，将开始采用特定的汽相清洗或干法清洁，以利于减少化学物品的消耗，从而降低这些清洗方法对化学物品处置的要求。

硅片清洗原理与方法综述

文中首先就硅片清洗原理的硅片的表面状态与洁净度问题和吸附理论进行了探讨,在硅片清洗的常用方法与技术中分析了湿法化学清洗、干法清洗技术、束流清洗技术。

微电子工艺清洗技术的应用分析

随着科学技术的发展,我国的微电子技术得到了快速发展,使电子元件的集成程度越来越高,给微电子器件的清洗工作带来了很大的挑战,其清洗质量对电子设备的质量也会造成严重的影响。对此,本文对微电子工艺清洗方法的现状进行了分析,并提出了有效的清洗对策。

超光滑表面清洗技术发展研究

介绍了超光滑表面清洗的基本理论,指出了当前超光滑表面清洗中存在的问题,系统分析了现有清洗技术的原理和清洗效果,并指出清洗技术的发展趋势。