基于PLC的等离子体干法刻蚀设备控制系统的设计

针对大型等离子体干法刻蚀生产设备的工艺特点,根据公司的生产实际需求,对原有损坏机台控制系统进行了重新改造设计。基于真空系统、工艺气体混合调节系统、射频微波放电系统、传动控制系统和终点检测系统等各子系统的控制难点及实现过程,设计了以三菱Q06 PLC为核心和In Touch 10.0为上位机监控软件的等离子体干法刻蚀设备控制系统。在In Touch 10.0平台上,搭建了等离子体干法刻蚀系统的监控界面,通过上位机处理大量生产制程数据和归档重要配方参数,实现生产工艺流程各个环节的实时监控、设备工作运行状态的参数显示和系统的故障报警等功能。

PCR生物芯片微反应腔的制作及其热分析

在PCR生物芯片的制作过程中 ,微反应腔制作是关键部分之一。本文利用硅基微机械加工工艺 ,分别采用湿法化学腐蚀、干法等离子体刻蚀及两者相结合的方法进行了微反应腔的制作。通过扫描电镜分析 ,证明干法和湿法腐蚀相结合的制作工艺能加工出较理想的微反应腔体。本文还利用ANSYS软件对微反应腔进行温度分布和热特性分析。

掺镁铌酸锂晶体的ICP刻蚀性能

掺镁铌酸锂晶体(Mg:LiNbO3)是一种相对难刻蚀的晶体,Mg:LiNbO3的干法刻蚀速率和刻蚀形貌控制是铌酸锂光电子器件加工中的关键技术之一。采用牛津仪器公司的Plasmalab System 100以SF6/Ar为刻蚀气体,具体研究Mg:LiNbO3的刻蚀速率随着感应耦合等离子体(ICP)功率、反应离子刻蚀(RIE)功率、气室压强和气体流量配比等刻蚀参数的变化,同时研究发现SF6/(Ar+SF6)气体流量配比还会影响刻蚀表面的粗糙度。实验结果表明:在ICP功率为1000W,RIE功率为150W,标准状态(0℃,1个标准大气压)下气体总流量为52mL/min,压强为0.532Pa,SF6/(Ar+SF6)气体体积分数为0.077的条件下,刻蚀速率可达到152nm/min,刻蚀表面粗糙度为1.37nm,可获得刻蚀深度为2.5μm,侧壁角度为74.8°的表面平整脊形Mg:LiNbO3结构。