丙烯酸酯干膜光刻胶曝光特性及其应用

对一种新型的丙烯酸酯干膜光刻胶(DFP)的曝光及显影特性进行了研究,采用该干胶制作出微沟道结构,进行微流道实验研究。在4英寸(1英寸=2.54cm)硅片上实现了厚度为50μm的干胶完好贴敷,从而解决了干胶在硅衬底上的贴敷问题。利用改变曝光时间设定曝光剂量梯度的方法,研究了干胶的曝光特性。采用不同质量分数的显影液,研究干胶的显影特性,获得了优化的结果。采用干胶系统进行了微流体沟道制作,得到了侧壁陡直的微沟道结构。实验发现,65mJ/cm2及以上的曝光剂量可使厚度为50μm的干膜光刻胶充分曝光并获得形貌效果良好的微结构,质量分数为5%的显影液具有最快的显影速度。

泛林集团全新干膜光刻胶技术突破技术瓶颈,满足下一代器件的缩放需求

随着芯片制造商开始转向更先进的技术节点,愈发精细的特征成为了棘手的难题。其中一个主要难点是将芯片设计转到晶圆上的材料,因为当前的材料很快就无法满足精细度要求。为了能及时满足下一代器件的缩放要求,泛林集团推出了一项突破性的干膜光刻胶技术。要更好地了解该解决方案,我们需要首先了解图形化工艺和当前使用的光刻胶,之后再探讨该技术的潜在优势。

用于微电子机械系统的干膜光刻工艺研究

干膜光阻的光刻工艺因简单廉价,正在逐渐替代传统的光刻工艺.本文针对干膜光刻的贴膜、曝光和显影等工艺参数进行优化,并将其应用于深槽刻蚀.试验结果表明:整套工艺过程简单可靠,几何尺寸控制良好,产品质量高.

感光干膜相关技术研究进展

感光干膜又称光致抗蚀干膜,是一种固态负性光刻胶,作为生产印制电路板(printed circuit board,PCB)的重要原材料之一,市场规模巨大。随着电子产品精密和微型化需求的日益增长,传统的PCB生产技术,图形转移技术无法满足生产需求;激光直接成像(laser direct imaging,LDI)技术具有高精度特点,被广泛应用于感光干膜生产中。从感光干膜的性能和特征、感光干膜行业的技术壁垒及感光感膜的发展现状和应用领域等方面综述了感光干膜相关技术的研究进展,为相关行业工作者提供理论参考。

泛林集团发布应用于EUV光刻的技术突破

泛林集团与阿斯麦(ASML)和比利时微电子研究中心(imec)共同研发的全新干膜光刻胶技术将有助于提高EUV光刻的分辨率、生产率和良率。日前,泛林集团(Nasdaq:LRCX)发布了一项用于EUV光刻图形化的干膜光刻胶技术。该项全新的干膜光刻胶技术,结合了泛林集团在沉积、刻蚀工艺上的领先地位及其与阿斯麦(ASML)和比利时微电子研究中心(imec)战略合作的成果,它将有助于提高EUV光刻的分辨率、生产率和良率。

湿膜和滚涂技术

1大规模内层生产中湿膜取代干膜势不可挡 湿膜又称液态光致抗蚀剂(liquid photoresist),简称LPR.

聚乙烯醇光刻胶的研制

本文对聚乙烯醇感光胶的感光性能进行了理论分析,在此基础上,探讨了将其用于光刻工艺的有关问题,叙述了添加各种添加剂后此胶的性能和应用范围,研究结果已用于生产过程,性能优于现用光刻胶,具有较好的经济效果。