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题名具有夹层的垂直U型栅极TFET的设计
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作者
郭浩
朱慧珑
黄伟兴
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机构
中国科学技术大学微电子学院
中国科学院微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第7期532-538,共7页
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文摘
通过使用工艺计算机辅助设计(TCAD)仿真技术提出了一种新型的带有夹层的垂直U型栅极隧穿场效应晶体管(TFET)结构。该器件是通过优化基于Ge的栅极金属核垂直纳米线TFET结构获得的。通过在沟道中增加重掺杂夹层,器件的平均亚阈值摆幅(SS_(avg))得到了改善;又通过改变器件的源极和漏极材料,器件的开关电流比(I_(on)/I_(off))得到了改善。对夹层的掺杂浓度和厚度以及沟道的高度也进行了优化。最终优化后的器件开态电流为220μA/μm,关态电流为3.08×10^(-10)μA/μm,SS_(avg)为8.6 mV/dec,表现出了优越的性能。与初始器件相比,该器件的SS_(avg)减小了77%,I_(on)/I_(off)增加了两个数量级以上。此外,提出了针对该器件的可行的制备工艺步骤。因此,认为该器件是在超低功耗应用中非常具有潜力的候选器件。
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关键词
隧穿场效应晶体管(TFET)
Si_(0.3)Ge_(0.7)
带带隧穿(BTBT)
平均亚阈值摆幅
开关电流比
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Keywords
tunneling field-effect transistor(TFET)
Si_(0.3)Ge_(0.7)
band-to-band tunneling(BTBT)
average subthreshold swing
on-off current ratio
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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