薄膜晶体管平坦化层干法刻蚀工艺的研究

为了降低薄膜晶体管的寄生电容,一种新型平坦化材料被引入。单独采用反应离子刻蚀(RIE)或增强电容耦合等离子刻蚀(ECCP)模式刻蚀该平坦化层均无法获得满意的工艺效果。为此,提出了将RIE和ECCP相结合的方法用于新型平坦化层的刻蚀。实验结果表明:当平坦化层厚度为2.0μm时,先以RIE模式7 kW/20 Pa条件刻蚀1.5μm,再以ECCP模式5 kW+4 kW/8 Pa条件继续刻蚀平坦化层及其下方的氮化硅,刻蚀出的过孔图形表面光滑,氮化硅层无底切,平坦化层孔径均值6.12μm。本研究结果为后续采用该平坦层材料的高分辨率、低功耗产品的设计和生产打下了坚实基础。

基于磁控溅射和ICP刻蚀的RB-SiC表面平坦化工艺

采用射频磁控溅射技术在RB-SiC表面沉积Si平坦化层,通过正交试验研究了射频功率、Ar流量和工作气压三个因素对薄膜表面质量和形貌的影响规律,以获取最佳的薄膜沉积参数.射频功率120 W、工作气压1.2Pa和Ar流量40sccm条件下获得了最佳质量的平坦化样品,利用电感耦合等离子体对平坦化膜层进行刻蚀抛光,通过Lambda950分光光度计测试不同工艺阶段样品表面的反射率.结果表明,相比于未处理的RB-SiC初始样品,经过平坦化和等离子体刻蚀的样品表面粗糙度标准差值由1.819nm减小至0.919nm,样品表面反射率相应地提高了2%.由此说明射频磁控溅射平坦化沉积与电感耦合等离子体刻蚀的组合工艺可实现RB-SiC表面的高质量加工.

TN型液晶面板气泡不良分析研究与改善

液晶显示面板中气泡不良是一种出现频率低但影响较大的缺陷.本文研究了一种TN型液晶显示面板出现的气泡不良,分析原因为彩色滤光片(ColorFilter,CF)中平坦化层(OverCoat,OC)材料由于在高温条件下长时间存放,导致OC内气体大量析出,通过氧化铟锡(IndiumTinOxide,ITO)裂缝释放到面板中形成气泡.文章从不良产生机理、不良改善进行研究,论证了通过优化工艺参数、变更OC工艺及材料减少气体发生,变更ITO成膜温度来降低ITO裂缝的发生,从而从源头解决此不良,保证产品品质,提升客户满意.

毫米波RF MEMS开关的研制

RF MEMS开关加工工序多,过程复杂,加工难度较大,影响开关加工质量的因素众多。从工艺流程入手,对加工过程中的牺牲层平坦化、牺牲层释放、薄膜微桥厚度及均匀性控制、薄膜微桥应力处理等关键技术和重要影响因素进行了分析。研制的20-40 GHz RF MEMS开关,其插入损耗≤0.4 d B,回波损耗≤-20 d B,隔离度≥20 d B,驱动电压50-100 V,热切换寿命≥106次。