核心专利识别的共引网络分析研究——以“平坦化工艺”为例

[目的/意义]探索利用专利共引网络识别核心专利的可行性及其方法,发展专利网络分析理论和方法。[方法/过程]首先,构建专利共引和直接引证网络,比较网络参数,分析引用时滞分布差异;其次,定义节点重要性评价指标CPTR;最后,利用CPTR识别核心专利,比较两种网络识别结果。[结果/结论]案例研究发现,专利共引网络和引证网络存在差异,共引网络能够展现专利关系的多样性特征,具有更显著的整体结构和更好的“知识流”传递能力;CPTR指标降低了PageRank算法的约束条件,识别的“平坦化工艺”技术领域内的核心专利的时效性更强。

ZnS光学表面平坦化工艺研究

为了在ZnS光学晶体表面制备超光滑牺牲层,用于离子束沉积修正刻蚀抛光ZnS光学晶体表面,引入一种简单平坦化工艺.工艺实验所用的平坦化胶为苯并环丁烯树脂(BCB).研究了涂胶转速、胶的浓度及热烘温度对牺牲层表面粗糙度的影响,优化了平坦化工艺参数,并讨论了各因素对牺牲层表面粗糙度的影响趋势.采用自旋涂胶的方法制备平坦化牺牲层,研究结果表明:对于BCB-1500胶,可在ZnS晶体表面获得粗糙度低于1.4nm的牺牲层;对于BCB-700胶,可获得粗糙度低于1.2nm的牺牲层,两者均可用于离子束刻蚀抛光ZnS表面的牺牲层.

半导体工艺中二氧化硅的刻蚀速率研究

随着大规模集成电路工艺技术的发展,针对越来越小的加工尺寸,在半导体刻蚀工艺中对亚微米及以下尺寸首选的蚀刻方式就是反应离子刻蚀,以其各向异性实现细微图形的转换。鉴于工艺上的要求,须将整个硅片表面的高低起伏全部抛光打磨成理想厚度,即平坦化工艺,这就需要研究反应离子蚀刻中二氧化硅刻蚀速率和均匀性的影响。通过反应离子刻蚀速率研究相关实验得出数据,再对薄膜厚度进行测量,最终定量计算出刻蚀速率和均匀性等参数,确定最佳的工艺条件。

一种基于刻蚀的SOI深槽介质隔离工艺

介绍了一种基于刻蚀的SOI深槽介质隔离(DTI)工艺。该工艺采用BOSCH刻蚀、兆声清洗、多晶硅回填、刻蚀平坦化等技术,制作流程简单。其介质隔离击穿电压可以根据电路的需要进行调整,并可根据氧化层厚度进行预测。其介质隔离漏电流极低。

用于新一代器件的最新STI和金属CMP浆料(英文)

现已开发出了用于浅沟道隔离穴STI雪、铜CMP和低k介质的新型材料。90nm以及下一代技术节点的新型器件要求在软接触CMP条件下减少缺陷率,改善片子表面形貌的衰减。获得的新材料展示了在CMP性能和街写特性方面的改进,因此这些材料被认为能够适应未来技术要求。这些材料的关键之处在于大颗粒尺寸的控制,进行平面化和金属抛光的化学控制以及将控制方法用于旋涂玻璃()材料。