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HP-LEC法InP单晶生长的引晶、放肩过程研究
被引量:
1
1
作者
李玉茹
黄清芳
+3 位作者
李晓岚
邵会民
史艳磊
孙聂枫
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第11期840-844,850,共6页
摘要:利用自制高压单晶炉内采用高压液封直拉技术(HP—LEC)研究了〈100〉InP晶体生长过程中引晶和放肩阶段的控制等因素对单晶生长的影响。采用平放肩工艺进行了3~4英寸(1英寸=2.54cm)InP单晶的生长。通过多次实验,可重复生长...
摘要:利用自制高压单晶炉内采用高压液封直拉技术(HP—LEC)研究了〈100〉InP晶体生长过程中引晶和放肩阶段的控制等因素对单晶生长的影响。采用平放肩工艺进行了3~4英寸(1英寸=2.54cm)InP单晶的生长。通过多次实验,可重复生长出直径80~110mm、长62~112mm的3~4英寸InP单晶锭。介绍了平放肩工艺技术特点和应用效果。经过统计和分析,认为InP晶体生长中放肩阶段的孪晶产生由多种因素造成,不存在所谓的“临界放肩角”。通过热场调整和工艺控制,可以用较低的提拉速度在较短时间内生长出3~4英寸头部;通过等径控制,可以生长出无孪晶或挛晶较少的高质量InP单晶。
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关键词
直径4英寸
INP单晶
平放肩
孪晶
高压液封直拉技术
下载PDF
职称材料
题名
HP-LEC法InP单晶生长的引晶、放肩过程研究
被引量:
1
1
作者
李玉茹
黄清芳
李晓岚
邵会民
史艳磊
孙聂枫
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
厦门钨业股份有限公司
专用集成电路重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第11期840-844,850,共6页
基金
国家科技重大专项资助项目(2011ZX01006-001)
国家自然科学基金资助项目(61076004)
文摘
摘要:利用自制高压单晶炉内采用高压液封直拉技术(HP—LEC)研究了〈100〉InP晶体生长过程中引晶和放肩阶段的控制等因素对单晶生长的影响。采用平放肩工艺进行了3~4英寸(1英寸=2.54cm)InP单晶的生长。通过多次实验,可重复生长出直径80~110mm、长62~112mm的3~4英寸InP单晶锭。介绍了平放肩工艺技术特点和应用效果。经过统计和分析,认为InP晶体生长中放肩阶段的孪晶产生由多种因素造成,不存在所谓的“临界放肩角”。通过热场调整和工艺控制,可以用较低的提拉速度在较短时间内生长出3~4英寸头部;通过等径控制,可以生长出无孪晶或挛晶较少的高质量InP单晶。
关键词
直径4英寸
INP单晶
平放肩
孪晶
高压液封直拉技术
Keywords
4-inch diameter
InP single crystal
flat-top shoulder
twin crystal
high pressureliquid encapsulated Czochralski technology
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
HP-LEC法InP单晶生长的引晶、放肩过程研究
李玉茹
黄清芳
李晓岚
邵会民
史艳磊
孙聂枫
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
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