一种新型的平板型功率半导体器件压装技术

对几种平板型功率半导体器件压装方法的利弊进行了分析,并介绍了一种新型功率器件压装技术。通过机械仿真及实物操作,验证了该压装方法的可行性,为日后平板型器件的工程应用提供参考。

新型功率半导体器件——IGCT性能研究

在介绍传统 GTO性能的基础上对集成门极可换向型晶闸管 IGCT的性能进行了研究。 IGCT具有传统 GTO和 IGBT的某些优点 。

MOS型功率半导体器件的最新进展

综述了MOS型功率半导体器件的最新发展动态，重点介绍了几种新型的器件，如EXTFET、COOL－MOS、IEGT、MCD等，分析了这些器件的结构特点、工作原理以及进一步发展所要解决的主要难题。最后指出了MOS型功率半导体器件未来的发展趋势。

新型功率半导体器件IGCT的核心技术

在目前的中电压大功率应用领域,占主导地位的功率半导体器件有晶闸管、GTO和IGBT等.这些传统的功率器件在实用方面都存在一些缺陷.ABB半导体公司率先提出了一种新型功率半导体器件-IGCT.它具有大电流、高电压、开关频率高、高可靠性、结构紧凑、低损耗的特点.在性能上明显优于目前广泛使用的GTO和IGBT器件.本文对IGCT器件及其工作原理进行简单介绍,并着重对其四项核心技术:缓冲层,透明阳极,逆导和集成门极技术,以及它们对器件性能的改善进行阐述.

功率半导体器件直流参数测试系统的研发

背景 介绍功率半导体器件应用非常广泛,是各种电子系统及仪器的基础,通常包括功率二极管、三极管、MOS场效应管、结型场效应管、可控硅等。目前,功率半导体器件应用单位涉及航天、航空、高等院校、电子研究所等诸多部门。其制造工艺及其设计水平较原来普通器件在功率上有了很大的提高,

功率半导体器件直流参数测试系统的研发

背景介绍 功率半导体器件应用非常广泛，是各种电子系统及仪器的基础，通常包括功率二极管、三极管、MOS场效应管、结型场效应管、可控硅等。目前，功率半导体器件应用单位涉及航天、航空、高等院校、电子研究所等诸多部门。

大有发展前途的新型半导体器件——静电感应晶体管和静电感应晶闸管

为了满足和推动电子器件向高频大功率方向发展,寻求一种新型晶体管,即静电感应晶体管(static induction transistor:SIT),也称为第三种类型晶体管。本文较为详细的阐述其组成结构工作原理和实验特性。并指出结构设计和工艺概要。

大功率半导体器件封装结构的有限元分析

介绍了压接型大功率半导体器件封装结构的有限元分析方法,利用Ansys有限元分析软件对IGCT这一具有代表性的器件进行了热分析,得出了IGCT芯片两侧热导体的热阻值,从而验证了IGCT结构的合理性。

功率半导体器件的新发展

一、ＭＯＳ型功率半导体器件改变了功率变换技术的面貌一年一度的国际功率半导体讨论会（ＩＳＰＳＤ’９７）今年在德国召开。过去功率半导体器件的国际会议都包含在半导体器件（主要是集成电路，如ＩＥＤＭ会议）或应用技术（如ＰＥＳＣ，ＩＰＥＣ，ＩＡＳ）的会议中，而...

中国北车发布功率半导体器件IGBT新产品

2011年12月23日中国北车集团永济电机公司在西安发布了其自主研发的11种IGBT（绝缘栅双极型晶体管）新产品，从而打破了IGBT器件技术和产品基本为国外公司所垄断的局面，标志着我国IGBT高端器件产业化实现了重大突破。

平板V型小翼各参数对风力机功率系数的影响

为提高风力机的功率系数Cp,对平板V型小翼的参数进行了优化试验.采用正交试验法选取5个基本参数,分析了各个参数对风力机功率的影响,找出了对其影响明显的参数以及小翼尺寸与叶片尺寸的相对关系.

功率半导体迎来新一轮发展机遇

1功率半导体器件是实现电能转换的核心器件。主要功率半导体器件是实现电能转换的核心器件。主要用途包括逆变、变频等。功率半导体可以根据载流子类型分为双极型功率半导体和单极型功率半导体。双极型功率半导体包括功率二极管、双极结型晶体管(BJT)、电力晶体管(GTR)、晶闸管、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。

平板型电极对热离子能量转换特性的测试技术研究

为开展热离子能量转换器基础性能数据的研究,基于平板型电极热离子能量转换基础试验装置建立了针对电极对热电转换特性的测试技术,通过开展W-Mo电极对的热离子发电测试,对所建立的测试技术进行了验证及评价,并分析了热离子发电参数对输出特性的影响规律。结果表明:所建立的测试技术可准确测量发射极有效功函数值;利用热离子基础试验装置测得的W-Mo电极对的最大输出功率密度为5.6 W/cm^(2),对应的发电参数为发射极温度1800 K,铯壶温度577 K,输出电压0.7 V。

东微半导登陆科创板 打造国际领先的高性能功率器件

2月10日,苏州东微半导体股份有限公司(688261.SH)正式登陆上交所科创板。东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,有着优秀的半导体器件与工艺创新能力,是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一。

平板型电阻器对精密恒温油槽温度稳定度影响和分析

在精密恒流源的研制中,为了保证大功率采样电阻的快速散热和阻值稳定性,需要把它做成平板结构并放入恒温油槽中。恒温油槽在空载运行和有试样放入及试样放置位置和方向不同的情况下,工作区内温度的稳定性和均匀度是不同的。主要分析恒温槽在不同工作状态下工作区温度的稳定性,通过实验方法验证理论分析的结果,最后确定恒温槽内平板电阻的最佳放置方式。

采用绝缘型封装的沟道型功率MOSFET在低压车用驱动电路中的应用

本文介绍了功率半导体器件的一个新家族,即绝缘型封装的低压沟道型MOSFET:对MOSFET和封装技术做了一个简单介绍。由此可以衍生出几种器件的功率等级和特性。另外对这些新器件的典型运用作了一个介绍:如用在作为汽车辅助驱动电路的变换器中及用电池供电的运输工具中。

4MV同轴-三平板型水介质自击穿开关设计

为高功率脉冲功率装置设计了4MV同轴-三平板型水介质自击穿开关作为脉冲输出开关。脉冲输出开关指在脉冲功率装置中脉冲形成线输出端的开关，它是脉冲形成线和传输线的连接部件，对传输电脉冲进行二次压缩。脉冲输出开关常常是自击穿开关，由于其前面的主开关对Marx发生器输出电脉冲进行了初步压缩，脉冲输出开关的输入脉冲前沿上升较快，故脉冲输出开关常常是多通道开关。

IGBT功率器件参数测试

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是电力控制和电力转换的核心器件，是由BJT（双极型晶体管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有高输入阻抗、低导通压降、高速开关特性和低导通状态损耗等特点，非常适合高电压和高电流的光伏逆变器、储能装置和新能源汽车等电力电子应用。

绝缘栅双极型晶体管的研究进展

作为一种新型的功率半导体器件,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以其优越的性能,成为中高功率电力电子领域的主流功率开关器件,被广泛应用于智能电网、新能源、高速铁路、工业控制、汽车电子、家电产品、消费电子等领域。概述了IGBT的演变历程以及主要技术发展,同时对我国IGBT的发展现状进行了分析。

半导体器件

Y2000-62028-1171 0005652具有新型各向异性导电膜的裸管芯测试=Bare dieprobing with novel anisotropic conductive film(ACF)[会,英]/Kaneto,M.& Asai,F.//1999 IEEE 49thElectronic Components and Technology Conference.—1171～1174(UC)