无限大均匀平板导体中的涡流场并矢格林函数

推导了有限厚度无限大均匀平板导体中的涡流场并矢格林函数 ,它是求解涡流检测问题构造积分方程法的核心 .由于考虑了导体厚度 ,所得结果较以前无限厚导体的模型更接近于实际情况 .

平板导体中裂纹缺陷探伤涡流场的求解

裂纹缺陷是涡流检测中最常遇到的缺陷类型。根据裂纹的特点 ,可以把它近似为一个没有厚度的面缺陷 ,其作用由分布在裂纹面上的等效电流偶极子层代替。使用积分方程法计算其涡流场问题 ,只需要很小的计算量。以前的工作都以无限厚导体为求解对象 ,文中研究了有限厚平板导体 ,结果表明它更加接近涡流检测的真实情况。线圈阻抗的计算值与实验结果进行了比较 ,吻合很好。

涡流检测中平板导体的理想裂缝模型

将理想裂缝模型从半无限大导体推广到有限厚平板导体情况 ,使体积积分方程法推进至实用化阶段。将传统的阻抗分析法改进为场量分析法 ,推导出了场点和源点位于同一区域和位于不同区域时的并矢格林函数 ,解决了求解等效电流偶极子分布时的积分奇点问题 ,并且将积分方程法的计算结果与FEM BEM组合法的计算结果进行了对比 ,表明有限厚平板导体中理想裂缝模型的准确性和高效性 。

平板导体上方倾斜圆形线圈的瞬态涡流场

研究了有限厚导电平板上方的倾斜圆形线圈在脉冲电流激励下产生的电磁场。推导了倾斜圆形通电线圈的电流密度表达式,解析求解了导体内部的涡流密度,并提出了一种计算时域响应的有效方法。结合算例,分析了瞬态涡流的时空特点,讨论了线圈倾角、板厚与响应的关系。计算结果显示,提出的方法可用于分析倾斜圆形线圈的线性瞬态涡流场问题。与软件仿真结果的对比验证了所提模型和方法。所得结果有助于了解在倾斜条件下所获得的脉冲涡流检测信号。

模拟镜像法求解平板导体涡流场格林函数

为快速精确计算均匀无限大平板导体涡流场的格林函数,提出了模拟镜像方法（SIM）。对于垂直电偶极子,SIM将格林函数表示成复镜像与模拟镜像之和。对于水平电偶极子,SIM将格林函数表示成复镜像与模拟镜像之和。模拟镜像的位置由经典镜像或复镜像方法给出,其强度通过广义逆方法逼近格林函数的截断误差部分来确定,因考虑了偶极子高阶镜像作用,故当导体板的厚度与其透入深度为任意比值时,SIM的计算结果都十分精确。

三层平板导体厚度及电导率的涡流检测

为一次性检测出三层不导磁平板导体的各层厚度及各层电导率,利用电磁场理论建立了正问题求解模型,推导了三层不导磁平板导体上方空心圆柱线圈的散射场阻抗表达式,试验验证了该表达式的正确性;建立了反问题求解模型,使用最优化算法计算了反问题的解,根据一组不同激励频率点的线圈散射场阻抗测量值,计算出了三层不导磁平板导体的各层厚度及各层电导率。试验结果表明,反演结果可靠。

铁磁性平板导体件远场涡流有限元仿真与分析

本文首先分析了平板导体件远场涡流的检测原理，然后采用ANSYS仿真软件建立了适用于平板导体件的远场涡流检测模型。在此基础上，通过提取X向磁场峰值信号的信息（包括峰值幅值和峰值宽度）实现了对铁磁性平板导体件中缺陷的定量检测。仿真结果表明，该模型对平板导体件的上下表面缺陷具有相同的检测灵敏度。

导体平板的散射矩阵

利用物理光学法推导出在双站情况下，平面波以任意角度入射时，导体平板的散射矩阵公式。通过该公式分析在特殊角度入射情况下散射场的雷达散射截面（ＲＣＳ），并与文献解进行比较，验证了它的正确性。该公式结构清晰，计算简便，有利于进一步分析散射场的特性。

计算半导体平板微腔自发发射的近似方法

引入新变量,并利用高阶泰勒展开完成半导体平板微腔自发发射的空间积分,由此得到半导体平板微腔TE模式自发发射的近似表达式.在腔长为半个中心波长和高反射率腔面的半导体平板微腔中,结合电子和空穴的费米分布函数,用近似方法计算垂直方向小角度内自发发射谱和总的自发发射谱,分别与数值空间积分基本相同,可以用于计算量子阱平板微腔自发发射谱.

无限大非接地导体平板的静电感应

利用静电场边值问题的唯一性定理,严格分析无限大非接地导体平板的静电感应问题,利用COMSOL多物理场仿真软件对理论计算结果进行验证.

导体平板散射矩阵的计算

该文应用物理光学法及边缘绕射理论的增量长度绕射系数法 ,对有限大小矩形平板在任意入射波、任意空间场点处的散射矩阵进行推导 ,得到计算平板散射矩阵的简单公式 ,数值计算结果表明 ,此公式精确可靠。结果对掠入射时的雷达目标识别具有参考意义 ,该方法可以推广到计算任意边缘形状平板的散射矩阵。

金属球与无限大导体平板系统电容的计算与讨论

根据数学物理理论 ,用电像法计算了金属球与无限大导体平板系统电容 ,描绘系统电容的函数图像 。

点电荷在接地导体平板附近的力学问题研究

本文研究了一个无限大导体平板和一个点电荷之间相互作用的力学问题。利用一个在平板后面等距离、但符号相反的镜像电荷的等效场情况来确定点电荷与平板之间的引力,得到了一些有意义的结果。

基于能量流的平板远场涡流检测探头研究及优化

针对传统涡流检测由于集肤效应而难以对平面金属导体板材深层隐藏缺陷进行检测的问题,提出了基于远场涡流的深层缺陷检测的磁场能量聚集方法研究。首先,建立了平板导体远场涡流检测模型,仿真分析了各种磁芯与磁屏蔽结构对涡流能量的影响,优化了铁磁性平板导体远场涡流检测系统中的磁芯与磁屏蔽结构。其次,制作了不同材料组合的屏蔽罩,搭建了平板导体远场涡流检测实验台。仿真与实验结果表明:内侧为铜、外侧为硅钢的双层磁屏蔽远场涡流探头结构,在保证具有较近的远场区的前提下,能有效增强间接耦合通道的能量,具有较强的深层缺陷检测能力。

一种新型的平板型功率半导体器件压装技术

对几种平板型功率半导体器件压装方法的利弊进行了分析,并介绍了一种新型功率器件压装技术。通过机械仿真及实物操作,验证了该压装方法的可行性,为日后平板型器件的工程应用提供参考。

线电荷与带有半椭圆柱凸起的接地平板系统的电势

利用儒可夫斯基变换,求解线电荷与带有半椭圆柱凸起的接地平板导体的电势分布,并用Matlab软件绘出电势分布图.