InGaAsP SBH激光器光束质量的非傍轴分析(英文)

计算了InGaAsPSBH激光器的TE0 0 模 ,并利用非傍轴矢量矩理论 ,分析了平行于 p -n结方向上的光学质量因子M 2y 在以往有关M 2 的计算中 ,往往忽略了包层中光场的贡献 ,因此得出M 2 小于 1的结论 当半导体激光器的激活层的尺寸远小于发射波长时 ,大部分光场将渗透到包层中 ,因此 ,包层的光场是不能忽略的 考虑到激活层和包层中的光场对M 2 的影响 ,给出了非傍轴半导体激光M 2 的精确表达式 结果表明 ,My大于