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圆柱表面上高分子共混刷微相分离的自洽场理论研究
1
作者
马新
陈仓佚
+1 位作者
唐萍
邱枫
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期208-214,共7页
我们运用高分子自洽场理论方法,结合"masking"技术,研究了高分子共混刷接枝到无限长圆柱表面上的微相分离行为.理论预言了柱面上高分子共混刷的两种典型相分离形态:平行条纹相和环状相.我们考察了圆柱半径、接枝密度以及相互...
我们运用高分子自洽场理论方法,结合"masking"技术,研究了高分子共混刷接枝到无限长圆柱表面上的微相分离行为.理论预言了柱面上高分子共混刷的两种典型相分离形态:平行条纹相和环状相.我们考察了圆柱半径、接枝密度以及相互作用参数对二者的影响,给出了体系在不同参数下相分离形态的相图,并且从相分离程度的角度对平行条纹相和环状相之间的转变作了解释.我们还研究了平行条纹相相区数目以及环状相交替周期随圆柱半径的变化.理论所预言的平行条纹相和环状相的存在以及体系参数对其稳定性的影响将有助于实验上合理设计、制备这类新颖的高分子刷材料.
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关键词
高分子共混刷
圆柱形表面
自洽场理论
平行条纹相
环状
相
“masking”技术
原文传递
题名
圆柱表面上高分子共混刷微相分离的自洽场理论研究
1
作者
马新
陈仓佚
唐萍
邱枫
机构
聚合物分子工程国家重点实验室复旦大学高分子科学系
出处
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期208-214,共7页
基金
国家重点基础研究发展规划项目(No.2011CB605700)
国家自然科学基金(No.21320102005)资助~~
文摘
我们运用高分子自洽场理论方法,结合"masking"技术,研究了高分子共混刷接枝到无限长圆柱表面上的微相分离行为.理论预言了柱面上高分子共混刷的两种典型相分离形态:平行条纹相和环状相.我们考察了圆柱半径、接枝密度以及相互作用参数对二者的影响,给出了体系在不同参数下相分离形态的相图,并且从相分离程度的角度对平行条纹相和环状相之间的转变作了解释.我们还研究了平行条纹相相区数目以及环状相交替周期随圆柱半径的变化.理论所预言的平行条纹相和环状相的存在以及体系参数对其稳定性的影响将有助于实验上合理设计、制备这类新颖的高分子刷材料.
关键词
高分子共混刷
圆柱形表面
自洽场理论
平行条纹相
环状
相
“masking”技术
Keywords
mixed polymer brush
cylindrical surface
self-consistent field theory
parallel rippled-phase
ring-shaped phase
"masking" technique
分类号
O631 [理学—高分子化学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
圆柱表面上高分子共混刷微相分离的自洽场理论研究
马新
陈仓佚
唐萍
邱枫
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
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