Si(~3P_g)+CO(X^1∑^+)体系的平行络合竞争动力学

使用经典轨迹法研究了平行络合反应Si(3Pg)+CO(X1∑+,V=0、1,J=0)→SiCO(X3∑-)或SiOC(X3∑-).该两个反应均无阈能,络合物寿命较长,一般在2.0×10-12sec左右,有效络合反应能区较窄(初始相对碰撞平动能Et≤37.6560 kJ.mol-1).当CO(X1∑+)的V=0或1时,较高稳定性的SiCO(X3∑-)在低能区(Et<12.5520 kJ.mol-1)均具有相对明显的优势,空间位阻因素起决定作用;在中能区(12.5520≤Et≤37.6560 kJ.mol-1),空间位阻因素减弱,能量因素加强,两者的反应速率接近相等;在高能区(Et>37.6560 kJ.mol-1),两个络合反应几乎不发生.

Si(~3P_g)+CO(X^1Σ^+)体系的反应碰撞轨迹

使用经典轨迹法研究了平行络合反应S i(3Pg)+CO(X1Σ+,V=0,J=0)→S iCO(X3Σ-)或S iOC(X3Σ-)的碰撞轨迹.该两个络合反应均为无闽能反应,络合物S iCO和S iOC的寿命均大于2.0×10-12sec,表现为长寿命络合物.

C(~3P_g)+SiO(X1~Σ^+)体系的反应碰撞轨迹

使用经典轨迹法研究了反应C(3Pg)+SiO(X1Σ+,V=0,J=0)碰撞轨迹.碳化硅合成反应C(3Pg)+SiO(X1Σ+,V=0,1;J=0)→SiC(X1Σ+)+O(3Pg)存在阈能,反应截面存在一个极大值和最佳反应能量.在SiC最佳产率区,通过反应物的振动激发并不能使SiC产率明显提高,基态下SiC合成反应的最佳能区为该反应的最佳产率区.