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K波段单片接收机设计
被引量:
1
1
作者
汪江涛
吴永辉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期172-175,共4页
基于0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款K波段MMIC接收机,频率覆盖19~26 GHz。在单个芯片内集成了平衡式低噪声放大器、本振驱动放大器、镜像抑制次谐波混频器等电路。在19~26 GHz射频输入带宽内的转换增益为7 dB;噪声系数典型值为4 ...
基于0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款K波段MMIC接收机,频率覆盖19~26 GHz。在单个芯片内集成了平衡式低噪声放大器、本振驱动放大器、镜像抑制次谐波混频器等电路。在19~26 GHz射频输入带宽内的转换增益为7 dB;噪声系数典型值为4 dB;输入回波损耗-12 dB;镜像抑制15 dB;本振-射频隔离度55 dB。为了降低了芯片成本,采用电磁场仿真软件对电路面积做优化设计,使得芯片面积仅为2 mm×4 mm。此接收机MMIC具有集成度高、可靠性高、体积小等特点,可广泛应用于各种微波通信系统和雷达系统。
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关键词
接收机
平衡式低噪声放大器
镜像抑制次谐波混频器
微波单片集成电路
下载PDF
职称材料
题名
K波段单片接收机设计
被引量:
1
1
作者
汪江涛
吴永辉
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期172-175,共4页
文摘
基于0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款K波段MMIC接收机,频率覆盖19~26 GHz。在单个芯片内集成了平衡式低噪声放大器、本振驱动放大器、镜像抑制次谐波混频器等电路。在19~26 GHz射频输入带宽内的转换增益为7 dB;噪声系数典型值为4 dB;输入回波损耗-12 dB;镜像抑制15 dB;本振-射频隔离度55 dB。为了降低了芯片成本,采用电磁场仿真软件对电路面积做优化设计,使得芯片面积仅为2 mm×4 mm。此接收机MMIC具有集成度高、可靠性高、体积小等特点,可广泛应用于各种微波通信系统和雷达系统。
关键词
接收机
平衡式低噪声放大器
镜像抑制次谐波混频器
微波单片集成电路
Keywords
receiver
balanced LNA
image reject sub-harmonic mixer
MMIC
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
K波段单片接收机设计
汪江涛
吴永辉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
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职称材料
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