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K波段单片接收机设计 被引量:1
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作者 汪江涛 吴永辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期172-175,共4页
基于0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款K波段MMIC接收机,频率覆盖19~26 GHz。在单个芯片内集成了平衡式低噪声放大器、本振驱动放大器、镜像抑制次谐波混频器等电路。在19~26 GHz射频输入带宽内的转换增益为7 dB;噪声系数典型值为4 ... 基于0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款K波段MMIC接收机,频率覆盖19~26 GHz。在单个芯片内集成了平衡式低噪声放大器、本振驱动放大器、镜像抑制次谐波混频器等电路。在19~26 GHz射频输入带宽内的转换增益为7 dB;噪声系数典型值为4 dB;输入回波损耗-12 dB;镜像抑制15 dB;本振-射频隔离度55 dB。为了降低了芯片成本,采用电磁场仿真软件对电路面积做优化设计,使得芯片面积仅为2 mm×4 mm。此接收机MMIC具有集成度高、可靠性高、体积小等特点,可广泛应用于各种微波通信系统和雷达系统。 展开更多
关键词 接收机 平衡式低噪声放大器 镜像抑制次谐波混频器 微波单片集成电路
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