一款18~40GHzMMIC无源双平衡混频器

基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(p HEMT)工艺,设计了一款18~40 GHz的无源双平衡混频器。该混频器采用肖特基二极管构成的混频环和3耦合线Marchand巴伦的结构,提高工作带宽的同时也减小了芯片尺寸。当本振(LO)功率为14 d Bm、中频(IF)频率为100 MHz时,常温下流片测试的各项参数典型值为上下变频模式下LO/射频(RF)频段覆盖18~40 GHz,带内变频损耗为-7 d B,1 d B压缩点功率值为10 d Bm,LO到RF端口的隔离度为-25 d B,同时其余各端口之间具有优良的隔离度。中频频率覆盖DC~20 GHz,芯片尺寸为1.63 mm×0.97 mm。

一种W波段低损耗宽带单平衡混频器设计

针对某型半实物仿真系统大带宽、高动态的技术需求,研制了一种覆盖整个W波段的单平衡混频器。混频器基于波导-石英混合电路以及分立肖特基二极管设计,射频信号经减高波导同相激励两个肖特基结,以减少无源电路的额外损耗。本振信号通过波导E面探针输入,以准TEM模反相激励肖特基结。测试结果表明,所设计混频器在13dBm本振功率激励下,可在75~110GHz范围内实现6~8dB的单边带变频损耗,中频带宽为DC~35GHz。该混频器与国内外同类高性能产品技术性能相当,已成功应用于W波段半实物仿真系统中。

C波段无源双平衡混频器的设计与分析

本文基于WIN半导体的0.15μmGaAspHEMT工艺,设计了一款工作频段为4.5~6GHz的无源双平衡混频芯片。整体电路集成了肖特基二极管环路、射频及本振端微带螺旋巴伦以及匹配网络等.部分,最终版图尺寸为1000μm×700μm。通过ADS仿真软件测试,在C波段全频带内,混频网络可实现7dB以内的变频损耗,最小值为65dB,本振到射频隔离度大于35dB,本振到中频隔离度大于30dB,输入1dB压缩点大于15dBm,中频带宽可以达到2GHz。

3mm单平衡混频器芯片

为满足3 mm收发系统的小型化需求,采用In P高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺,设计并制造了一款3 mm单平衡混频器芯片。该单平衡混频器芯片采用了反向并联肖特基二极管对（APDP）和三线耦合Marchand巴伦结构,在获得精确的肖特基二极管非线性模型和巴伦电磁场S参数模型的基础上,对混频器进行了电路设计。最终获得了良好的工作带宽、变频损耗与隔离度指标,在片测试结果显示,该芯片射频、本振频率为82-100 GHz,变频损耗小于9 d B,本振（LO）-射频（RF）隔离度大于20 d B,中频带宽为0.1-18 GHz,整体芯片尺寸为1.1 mm×1.0 mm。

3～40 GHz宽带双平衡混频设计与分析

双平衡混频器具有宽频带、高隔离度等优点,因而具有广阔的应用前景。设计了一种40GHz双平衡混频器,介绍了双平衡混频器设计原理和关键技术的解决方案。基波双平衡混频器利用微波薄膜混合集成电路工艺,在3～40GHz范围内实现宽频带输出,具有较低的变频损耗,并具有较好的本振-射频、本振-中频隔离度,在实际工程中可作为上、下变频器使用。

Ka频段GaAs单片平衡混频器

Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器江关辉，孙柏根，高葆薪，孙迎新，戴沛然（南京电子器件研究所，２１００１６）（清华大学电子工程系，北京，１０００８４）Ｋａ－ＢａｎｄＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＧａＡｓＢａｌａｎｃｅｄＭｉｘｅｒ￥ＪｉａｎｇＧｕａｎｈｕｉ；ＳｕｎＢ...

鳍线魔T及鳍线平衡混频器

介绍了鳍线魔T的性质及设计原则,对其中的激励问题提出了一种近似计算方法,给出了适合于电路工程的设计经验公式,利用鳍线魔 T 结构在 Ka 波段实现了平衡混频器。混频器包括中放在内的 DSB 噪声系数小于6.8dB,最小值6.0dB,工作带宽2.0GHz,本振射频隔离大于20 dB。

平衡混频式电涡流金属探测器研究

讨论了平衡混频电涡流金属探测器的组成及工作原理,实验表明该金属探测具有灵敏度高,体积小等优点。

2.4GHz下变频双平衡混频器设计

采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一个基于Gilbert单元、工作在2.4GHz的下变频双平衡混频器,该混频器具有良好的150MHz中频输出特性。经仿真在1.8V电压下,电路匹配良好,并取得转换增益为8.275dB、单边带噪声系数(NFssb)为8.431dB、为7.146dBm、功耗低于20mW的较好结果。

一款GaAs PHEMT超宽带无源双平衡混频器MMIC

混频器是微波系统关键部件之一。微波通信系统的宽带化和小型化发展趋势对混频器性能提出更高要求。基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款超宽带无源双平衡混频器单片微波集成电路(MMIC)。该混频器采用环形肖特基二极管结构和两个新颖的螺旋式平行耦合微带线巴伦结构,大大提高了混频器工作带宽,减小了芯片尺寸,提高了本振(LO)到射频(RF)端口的隔离度。在片探针测试结果显示该芯片在上、下变频模式下RF和LO工作频率均为2~22 GHz,中频工作频率为0~4 GHz,变频损耗≤11.5 dB,LO到RF端口隔离度≥37 dB,LO输入功率为15 dBm。芯片尺寸为1.7 mm×1.0 mm。

单平衡混频器的ADS设计与仿真

介绍了单平衡混频器的工作原理及借助ADS软件设计的步骤,给出设计实例,运用S参数及谐波平衡法对实例进行仿真,由仿真结果验证可行性,通过设计可以看出,利用ADS进行微波电路仿真,可以方便的得出最佳电路设计,指标符合规定值。

基于CMOS模拟开关实现平衡混频器

详细介绍了有源单平衡混频器的电路组成,分析了有源平衡混频器的工作原理。基于CMOS模拟开关设计实现了一种(低功耗、高线性度的)开关平衡混频器,最后对混频器的指标进行了测量和分析。测试结果表明(在3.3V电源电压下,消耗电流小于10mA,射频输入信号)在60～110MHz频带范围内,(本振信号+10dBm时)插入损耗小于7dB,波动小于1dB,输入P1dB压缩点大于13dBm。

集中参数阻抗变换定向耦合器平衡混频器

分析了集中参数元件应用于微波集成电路的可行性、应满足的条件及优点，完成了集中参数阻抗变换定向耦合器平衡混频器的工程设计和实验调试，获得了满意的实验结果。该电路具有结构简单、体积小、调试方便、成本低等一系列优点。

基于倒扣技术的24GHz混合集成平衡混频器

介绍采用混合贴装倒扣二极管技术制造的新型 2 4GHz平衡混频器 .并对该混频器进行设计、仿真、加工和测试 .它能提供中频 10 0kMz时小于 10dB的变频损耗 ,本振与信号之间优于 35dB的隔离度 .其结构特点利于大批量、低成本生产 。

半模基片集成波导平衡混频器的设计实现

利用半模基片集成波导3 dB电桥设计了一种X波段单平衡混频器,并用印刷电路板工艺实现。首先设计并测试了半模基片集成波导电桥的性能,并给出测试结果。然后将半模基片集成波导电桥用于单平衡混频器的设计,并给出混频器的具体电路形式。该混频器具有良好的性能,与原有的基片集成波导电桥混频器相比体积更小、重量更轻。经测量混频器变频损耗小于8.6 dB,并在9 GHz～12 GHz频带内获得了比较好的响应平坦度。

NRD波导正交场平衡混频器准周期稳态响应分析

详细研究了毫米波无辐射介质波导正交场单平衡混频器在双频信号激励下的准周期稳态响应。根据NRD波导的模式完备性与正交性原理 ,结合导线天线分析方法和矩量法 ,计算了这种混频器中的一个重要结构———交叉杆金属结构对本振LSE模和入射信号LSM模的扰动作用 ,得到了相应的本振感应电动势和入射信号感应电动势。在此基础上 ,使用基于多维傅立叶变换的交调波平衡法 。

5.8GHz WLAN CMOS双平衡混频器的设计

介绍了基于0.18μmCMOS工艺的802.11a无线局域网(WLAN)有源双平衡混频器的设计方法。该混频器射频(RF),本振(LO)和中频(IF)信号频率分别为5.8 GHz,4.6 GHz和1.2GHz。仿真结果显示:在1.8V电压下,变频增益为4.27dB,单边带噪声系数为10.73dB,l dB压缩点为-13.18dB,三阶输入截点为-3.04dB,功耗为32.4mW,芯片面积为1.8mm×1mm。

8mm集成平衡混频器新结构实验

描述了圆型混合环结构和跑道型的混合环结构的Ka波段集成平衡混频器。通过对两者测试结果的比较,后者降低了混频损耗,改善了工作带宽。其设计方法和过程对其他频段的平衡混频器的设计有一定的参考价值。

2.4GHz CMOS双平衡混频器的设计

该文设计了工作在2.4 GHz基于Gilbert单元为核心的CMOS有源双平衡混频器.为提高变频增益增加了分流源单元.该混频器RF、LO和IF分别为2.40 GHz2、.41 GHz和10 MHz.经仿真在2.5 V电压下,取得变频增益(Gc)为11.095 dB、噪声系数(NF)为8.836 dB1、dB压缩点(P1dB)为-13.6 dBm、三阶输入截止点(IIP3)为-3.72 dBm、功耗为13.5 mW的较好结果.该混频器采用TSMC 0.25μm CMOS工艺实现,版图面积(包括pads)为1 mm×1 mm.

一种U波段鳍线单平衡混频器的设计

本文介绍了一种U波段鳍线单平衡混频器的设计过程并给出了测试结果。混频器使用M/A-COM公司的肖特基势垒二极管MA4E2037,整个电路制作在一块厚度为0.127mm的RT-Duroid 5880软基片上。射频端口采用鳍线过渡,本振端口通过波导-微带探针过渡,中频通过SMA接头输出。测试结果显示,鳍线悬置微带线结构的混频器在本振为42GHz,射频在40～60GHz范围内变化时,其变频损耗小于8.71dB,本振到射频的隔离度大于25dB。