模拟研究常闭和常开工作模式下的平面栅极型碳纳米管场发射电子源

采用数值模拟的方法对比性地研究了常闭和常开工作模式下平面栅极型碳纳米管场发射电子源。静电场的数值计算结果显示:常闭工作模式下该电子源中阴极电极的表面电场分布不均匀,边缘处的高电场易导致其上的碳纳米管烧毁,从而引起场发射电流衰减。为了解决此问题,提出将常开工作模式用于该电子源,并证实常开工作模式能够用于该电子源,并有利于解决电流衰减问题。因此,相对于常闭工作模式,常开工作模式更适合平面栅极型碳纳米管场发射电子源。

用于平面显示的MISM结构阴极

讨论了平面型场致热化电子发射阴极 ,对玻璃衬底 /Mo/Ta2 O5/ZnS/Au结构的平面型场致热化电子发射阴极的制备及其发射性能进行了论述 ,讨论了在不同工艺参数下器件的发射情况。实验表明 ,通过优化溅射时间参数和工艺手段制成的阴极对发射电流的大小有很大影响。通过对这些工艺参数的调整 ,得到了最高发射比 (Ia/Ig)为 4 5× 10 -4 ,向该阴极实用化迈进了一步。

一种基于碳管场发射显示器结构分析

用边界元法 (BEM )和MonteCarlo方法就一种基于碳纳米管场发射大面积彩色平面型显示器的可行性进行了理论分析 ,通过模拟跟踪发射电子轨迹 ,证实设计的显示器结构能够满足高分辨率显示的要求 ,而且驱动电压低、工艺简单 ,尤其和日本Cannon公司的M .Okuda等人提出的表面传导型场发射显示器结构相比 。

栅极和阴极的相对高度对电子传输比的影响

用边界元法 (BEM)和MonteCarlo方法 ,对一种基于碳纳米管场发射大面积彩色平面型显示器的电子传输比进行了理论分析 ,通过模拟跟踪发射电子轨迹 ,证实改变阴极和栅极的相对高度 ,可以较大幅度地提高电子传输比 阳极上电子的分布证实 ,我们设计的显示器结构能够满足高分辨率、高亮度的显示的要求 ,而且驱动电压低 ,工艺简单 。

基于碳纳米管场发射显示器的设计及实验研究

提出了一种基于碳纳米管场发射阵列的全彩色大面积平板显示器模型,该显示器的阴极和栅极位于同一个平面上,阴极和栅极之间的沟槽用激光束刻蚀形成,工艺简单,实验得到的电子传输比可以提高到29.3%。

平面型硅阴极发射稳定性研究

平面电子管器件的阴极发射稳定性、可持续性和可靠性是器件实际应用前需要解决的关键问题。本文对空气和真空环境中平面型硅阴极的长时间发射特性进行了系统的测量和分析。实验结果发现,在空气环境中,阴极存在一个约1 h的电流稳定过程,而真空中的样品不存在这样的过程。研究还发现器件关断后放置在空气环境中会导致重新开启后电流衰减。此外,使用透射电子显微镜(TEM)观察平面型硅阴极表面的微观结构,发现长时间发射后阴极表面部分区域变得粗糙且高度下降了5~6 nm。本文的研究结果有助于提高研究者们对平面电子管器件失效机理的认识,并为平面型硅阴极的平面电子管器件设计和应用提供有价值的指导。

SED——最新型的平板电视介绍

SED(Surface-ConductonElectron-EmitterDisplay),是表面传导型电子发射器件的简称。作为场致发射型显示器件(FieldEmissionDisplay,FED)技术之一,SED的发展历史可以追朔到1986年,当时,法国的R.Meyer利用半导体及薄膜生长的精细加工电子源技术,在试制的Si基板上加工了尖形的微小发射极阵列,生成场致发光。1996年10月,Canon发表使用MOS结构场致发光部件\超微间距薄膜平面阴极FED的论文,并于1997年5月,试作出3.1英寸样品,实现了薄膜平面阴极的FED,这就是SED的雏型。