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平面型埋栅结构的静电感应晶体管(英文)
被引量:
1
1
作者
王永顺
李思渊
胡冬青
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期126-132,共7页
在表面栅和埋栅结构的基础上 ,提出了一种制造静电感应晶体管的新型结构 ,平面型埋栅结构 .用普通的平面工艺实现了具有高击穿电压的埋栅结构 ,避免了工艺难度较大的二次外延和台面腐蚀工艺 .实验结果表明该结构可用于制造各种功率静电...
在表面栅和埋栅结构的基础上 ,提出了一种制造静电感应晶体管的新型结构 ,平面型埋栅结构 .用普通的平面工艺实现了具有高击穿电压的埋栅结构 ,避免了工艺难度较大的二次外延和台面腐蚀工艺 .实验结果表明该结构可用于制造各种功率静电感应器件 ,其优点是具有高的击穿电压和高的阻断增益 ,并讨论了平面型埋栅结构的主要特点和制造工艺 .
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关键词
静电感应晶体管
平面型埋栅结构
阻断电压
限场环
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职称材料
题名
平面型埋栅结构的静电感应晶体管(英文)
被引量:
1
1
作者
王永顺
李思渊
胡冬青
机构
兰州大学物理科学与技术学院静电感应器件研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期126-132,共7页
文摘
在表面栅和埋栅结构的基础上 ,提出了一种制造静电感应晶体管的新型结构 ,平面型埋栅结构 .用普通的平面工艺实现了具有高击穿电压的埋栅结构 ,避免了工艺难度较大的二次外延和台面腐蚀工艺 .实验结果表明该结构可用于制造各种功率静电感应器件 ,其优点是具有高的击穿电压和高的阻断增益 ,并讨论了平面型埋栅结构的主要特点和制造工艺 .
关键词
静电感应晶体管
平面型埋栅结构
阻断电压
限场环
Keywords
static induction device
planar type buried gate structure
blocking voltage
limiting field ring
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
平面型埋栅结构的静电感应晶体管(英文)
王永顺
李思渊
胡冬青
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
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