平面型电力电子器件阻断能力的优化设计

利用场限环终端结构及 P+I( N- ) N+体耐压结构分析了平面型电力电子器件的阻断能力。提出了一种优化设计阻断能力的新方法 ,通过将器件作成体击穿器件 ,使其终端击穿电压与体内击穿电压之间达成匹配 ,从而可提高器件阻断能力的稳定性和可靠性 ,并降低器件的通态损耗及成本。最后通过制作具有 PIN耐压结构的 GTR和引用国外有关文献验证了该方法的正确性。该方法可直接推广到整流器、晶闸管、GTR、IGBT、IEGT和 MCT等多种平面型电力电子器件设计中。