平面平行真空微电子二极管中二分之三次方关系式的应用

在一定的假定条件下,考虑空间电荷影响,平面平行真空微电子(P-VMD)二极管中电流-电压近似按二分之三次方关系式工作。本文在此关系式及Forler-Nordheim场发射方程的基础上[2],通过解简化立方方程,进一步推导出管内的电位、电场强度、电子速度和空间电荷密度的分布函数。P-VMD二极管在保持管内结构与阴极表面电场强度不变,并工作在典型工作状态(归一化电位系数p=2/3)情况下,考虑空间电荷影响时的阳极电压、阳极电场强度和阳极电子速度分别比无空间电荷影响时增加约50.00%,73.21%和22.47%。P-VMD二极管内的空间电荷密度分布函数为正割函数,在阳极表面附近为最小,在阴极表面处为无穷大,这是由于本文假设在阴极表面处的电子初速度为零的缘故。

平面平行真空微电子二极管中电子渡越时间的计算关系式

本文借助于泊松(Poisson)方程,分析了平面平行真空微电子二极管(P-VMD)中空间电荷对管内电位分布的影响,利用电子渡越时间的定义式,推导出了平面P-VMD在考虑空间电荷和忽略电荷空间电荷影响时的电子渡越时间的计算关系式,并验证了此关系式的正确性。最后举例说明了此关系式的应用。

平行平面形真空微电子二极管中的二分之三次方关系式

从泊松（Ｐｏｉｓｓｏｎ）方程出发，推导出了平行平面形真空微电子二极管中考虑空间电荷效应的二分之三次方关系式，并列举了此关系式的有关应用。

电真空器件

0116503金属卤化物灯制造技术的新进展[刊]/陈平//真空电子技术.—2001,(3).—31～33(C)金属卤化物灯是新一代的电光源,它具有高光效、高显色性和长寿命等特性。本文主要介绍金属卤化物灯目前的最新研究成果及未来的发展动态。参20116504平行平面形真空微电子二极管中的二分之三次方关系式[刊]/陈博贤//真空电子技术.—2001,(3).—7～10(C)从泊松(Poisson)方程出发,推导出了平行平面形真空微电子二极管中考虑空间电荷效应的二分之三次方关系式,并列举了此关系式的有关应用。参30116505研究发射管热量和温度。