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“非平面阴极”槽生产过程的控制策略
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作者 程保生 《甘肃冶金》 2012年第6期16-18,21,共4页
根据"非平面阴极"对电解槽铝液波动的抑制原理和效果,提出对该类槽型主要技术参数和过程的控制,并针对存在的缺陷,对研发方向给出一定的参考意见。
关键词 平面阴极 凸起 电解槽 控制策略
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非平面阴极预焙铝电解槽双媒介焙烧启动技术
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作者 杨求思 王世海 +3 位作者 李炜煜 秦卫中 覃文 刘升 《四川冶金》 CAS 2012年第2期32-36,共5页
本文针对非平面阴极电解槽焙烧启动采用传统方法存在的各种问题,在试验中通过改变焙烧介质,减小电阻,降低了冲击电压,使焙烧温度分布更均匀,减少了电解槽阴极早期破损风险,值得在生产中推广使用。
关键词 平面阴极 预焙铝电解槽 双媒介焙烧启动技术
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用于平面显示的MISM结构阴极 被引量:3
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作者 李德杰 王磊 孙林 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第2期143-146,共4页
讨论了平面型场致热化电子发射阴极 ,对玻璃衬底 /Mo/Ta2 O5/ZnS/Au结构的平面型场致热化电子发射阴极的制备及其发射性能进行了论述 ,讨论了在不同工艺参数下器件的发射情况。实验表明 ,通过优化溅射时间参数和工艺手段制成的阴极对发... 讨论了平面型场致热化电子发射阴极 ,对玻璃衬底 /Mo/Ta2 O5/ZnS/Au结构的平面型场致热化电子发射阴极的制备及其发射性能进行了论述 ,讨论了在不同工艺参数下器件的发射情况。实验表明 ,通过优化溅射时间参数和工艺手段制成的阴极对发射电流的大小有很大影响。通过对这些工艺参数的调整 ,得到了最高发射比 (Ia/Ig)为 4 5× 10 -4 ,向该阴极实用化迈进了一步。 展开更多
关键词 平面显示 场致发射 制备 射频溅射 硫化锌 平面型场致热化电子发射阴极 发射性能
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平面磁控阴极用于PEPC等离子体放电实验研究 被引量:1
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作者 郑奎兴 鲁敬平 +4 位作者 张雄军 郑建刚 董云 魏晓峰 张小民 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第F11期141-144,共4页
平面磁控阴极用于大面积等离子体放电具有大幅降低放电电压和放电气压的优点 ,是PEPC首选的放电途径。通过对不同尺寸、不同磁场强度和不同气压状态下放电实验研究表明 :在较宽的磁场强度范围内都可实现全口径的均匀等离子体放电 ,电极... 平面磁控阴极用于大面积等离子体放电具有大幅降低放电电压和放电气压的优点 ,是PEPC首选的放电途径。通过对不同尺寸、不同磁场强度和不同气压状态下放电实验研究表明 :在较宽的磁场强度范围内都可实现全口径的均匀等离子体放电 ,电极几何尺寸的小量变化对放电均匀性的影响不大。给出了满足 30 0 mm× 30 0 mm放电腔的放电参数。 展开更多
关键词 等离子体放电 实验研究 平面磁控阴极 PEPC 等离子体电极普克尔盒 ICF 惯性约束聚变装置 放电均匀性 激光驱动器
全文增补中
JPD-1200型矩形双平面磁控溅射阴极镀膜设备的研制
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作者 张文刚 《真空》 CAS 北大核心 2004年第5期56-58,共3页
介绍了设备的结构、组成及工作过程 ,对新型矩形双平面磁控溅射阴极及有关的各阴极进行了分析、比较。
关键词 矩形双平面磁控溅射阴极 磁场 离子清洗
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非平衡平面磁控溅射阴极及其镀膜装置
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《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期67-67,共1页
关键词 北京振涛国际钛金技术有限公司 非平衡平面磁控溅射阴极 镀膜装置 靶材 非铁磁体背板 永磁体 极靴 专利
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场发射显示器件阴极研究进展 被引量:1
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作者 倪曼 张军 +1 位作者 李德杰 胡思正 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期289-292,共4页
介绍了场发射显示器件的基本结构和工作原理 ,分析了传统微尖型阴极发射阵列存在的问题 ,在此基础上介绍了平面型阴极的组成和工作方式以及目前MISM结构平面阴极的研究进展。
关键词 场发射显示 平面阴极 MISM
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平动搅拌法平面电铸技术实验研究 被引量:1
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作者 李慧娟 张晶晶 岳晓博 《内燃机与配件》 2019年第4期224-226,共3页
为进一步提高在面积较大和重量较重的平面阴极基底上电铸时电铸层的厚度分布均匀性,提出了一种平动搅拌法电铸工艺,研制了相应的实验装置,并开展了实验研究。研究表明:基于研制的实验系统,当镍电铸层面积为140mm×140mm时,电铸镍平... 为进一步提高在面积较大和重量较重的平面阴极基底上电铸时电铸层的厚度分布均匀性,提出了一种平动搅拌法电铸工艺,研制了相应的实验装置,并开展了实验研究。研究表明:基于研制的实验系统,当镍电铸层面积为140mm×140mm时,电铸镍平面件的厚度均匀率达到了92.7%。 展开更多
关键词 电铸 平面阴极 平动搅拌 厚度分布均匀性
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活性靶室在超核物理实验研究中的应用
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作者 崔象宗 Ed V.Hungerford 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期341-347,共7页
本文介绍的是在超核生成反应(如:12C(k-,π0)12ΛB)中,为确定入射粒子k-在靶中停止位置而建造的一种多丝正比室,该室已应用在E907实验中,并在AGS(BNL)的π,k束中进行了数据获取。该室的工作方式采用... 本文介绍的是在超核生成反应(如:12C(k-,π0)12ΛB)中,为确定入射粒子k-在靶中停止位置而建造的一种多丝正比室,该室已应用在E907实验中,并在AGS(BNL)的π,k束中进行了数据获取。该室的工作方式采用阴极感应条信号读出方式。通过对活性靶室的数据分析,给出了它的感应信号的平均输出幅度、效率以及位置分辨率。最后对k-停止事例,给出如何确定其在碳靶中的停止位置,以及停止率。对k-测得的位置分辨为:x=0.93mm,y=0.36mm和z≥1.00mm。在碳靶中k-的停止率约为20%。 展开更多
关键词 活性靶室 超核 阴极平面 感应电荷 k^- 投影径迹
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日本以大屏、薄型电视为目标,开发FED
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作者 孙再吉 《光电子技术》 CAS 1997年第3期208-208,共1页
关键词 发光效率 大屏 日本 平板显示器件 电视 场致发射显示 薄型 阳极氧化 平面阴极 液晶显示器件
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SED——最新型的平板电视介绍
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作者 房增田 陈曦 《中国数字电视》 2005年第12期44-45,共2页
SED(Surface-ConductonElectron-EmitterDisplay),是表面传导型电子发射器件的简称。作为场致发射型显示器件(FieldEmissionDisplay,FED)技术之一,SED的发展历史可以追朔到1986年,当时,法国的R.Meyer利用半导体及薄膜生长的精细加工电... SED(Surface-ConductonElectron-EmitterDisplay),是表面传导型电子发射器件的简称。作为场致发射型显示器件(FieldEmissionDisplay,FED)技术之一,SED的发展历史可以追朔到1986年,当时,法国的R.Meyer利用半导体及薄膜生长的精细加工电子源技术,在试制的Si基板上加工了尖形的微小发射极阵列,生成场致发光。1996年10月,Canon发表使用MOS结构场致发光部件\超微间距薄膜平面阴极FED的论文,并于1997年5月,试作出3.1英寸样品,实现了薄膜平面阴极的FED,这就是SED的雏型。 展开更多
关键词 平板电视 场致发射 电子源 平面阴极 荧光粉 工作原理 偏转线圈 场致发光 电子枪 电子束
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Mean Transverse Energy of Electrons Emitted from GaAs/GaAlAs Transmission Photocathode
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作者 YAN Jin-liang,ZHU Chang-chun (School of Electr. & Inform.Eng.,Xi’an Jiaotong University,Xi’an 710049,CHN) 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 1999年第3期147-151,共5页
A GaAs/GaAlAs transmission photocathode surface topography is examined with a scanning electron microscope(SEM) in the secondary emission mode.The contributions of photocathode surface topography to mean transverse en... A GaAs/GaAlAs transmission photocathode surface topography is examined with a scanning electron microscope(SEM) in the secondary emission mode.The contributions of photocathode surface topography to mean transverse energy of electrons emitted from the photocathode are calculated. Measurement is made of the variation of mean transverse emission energy with activating time during the course of activation. It is shown that the scattering of the photoelectrons in the Cs/O layer is the primary cause of the unexpectant high values of the mean transverse energy of electrons emitted from GaAs/GaAlAs photocathode. A method is proposed for the reduction of the mean transverse energy of electrons emitted from the photocathode. 展开更多
关键词 Cs/O Activating Layer GaAs/GaAlAs Photocathode Mean Transverse Emission Energy Surface Topography CLC number:TN383.4 Document code:A
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Enhancement of the efficiency and stability of planar p-i-n perovskite solar cells via incorporation of an amine-modified fullerene derivative as a cathode buffer layer
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作者 Xiaodong Liu Peng Huang +7 位作者 Qingqing Dong Zhaowei Wang Kaicheng Zhang Hao Yu Ming Lei Yi Zhou Bo Song Yongfang Li 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第1期136-143,共8页
A methanol-soluble diamine-modified fullerene derivative(denoted as PCBDANI)was applied as an efficient cathode buffer layer(CBL)in planar p-i-n perovskite solar cells(pero-SCs)based on the CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x absor... A methanol-soluble diamine-modified fullerene derivative(denoted as PCBDANI)was applied as an efficient cathode buffer layer(CBL)in planar p-i-n perovskite solar cells(pero-SCs)based on the CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x absorber.The device with PCBDANI single CBL exhibited significantly improved performance with a power conversion efficiency(PCE)of 15.45%,which is approximately17%higher than that of the control device without the CBL.The dramatic improvement in PCE can be attributed to the formation of an interfacial dipole at the PCBM/Al interface originating from the amine functional group and the suppression of interfacial recombinationby the PCBDANI interlayer.To further improve the PCE of pero-SCs,PCBDANI/LiF double CBLs were introduced between PCBM and the top Al electrode.An impressive PCE of 15.71%was achieved,which is somewhat higher than that of the devices with LiF or PCBDANI single CBL.Besides the PCE,the long-term stability of the device with PCBDANI/LiF double CBLs is also superior to that of the device with LiF single CBL. 展开更多
关键词 planar p-i-n perovskite solar cells cathode buffer layers amine-modified fullerene derivative PCBDANI/LiF double CBLs stability
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