非晶态铁硼薄膜的平面霍耳效应

对于用射频溅射法制得的Fe_(83)B_(17)薄膜进行了平面霍耳效应的研究。实验表明:厚度大于800(?)的薄膜测量结果与导出的公式符合良好,且平面霍耳电压V_H的磁滞回线有轴对称性,但对较薄的膜则出现对公式的偏离并失去对称性。V_H的幅值可达500μV,开关临界磁场为22×10^(-4)T,晶化以后薄膜的V_H减小约一个数量级。利用平面霍耳效应测量了薄膜的静态磁特性。