变高岭石的结构研究

变高岭石是高岭石的加热相变产物 .用广角度X射线衍射散射 (WAXS)和由它得到的径向分布函数 (RDF)研究了变高岭石结构表明 :它是一种含有少量结晶相或沿c轴失序的半晶物质 ,其结晶度随热处理温度而变化 .构成变高岭石的结构单元是四面体 [MO4] (M =Si,Al)和八面体 [AlO6 ] .变高岭石结构中近邻四面体与四面体、四面体与八面体是共顶连接的 ,而近邻八面体与八面体是共面连接的 .变高岭石的近程结构将不随结晶性或序性变化 .它的微结构及其随热处理温度的变化主要决定于结构基元之间的关系和序性 .

偏岭石结构研究

用广角度X射线散射 (WAXS)和由它得到的径向分布函数 (RDF)研究了偏岭石的结构。偏岭石是一种以非晶组份为主的部分有序的中间序性物质。构成偏岭石的结构单元是四面体 [MO4 ](M =Si,Al)和八面体 [AlO6](O =O ,OH)。偏岭石结构中近邻四面体与四面体共顶连接构成M—O层 ,八面体与八面体共棱或共面连接构成Al—O层 ;而四面体与八面体通过不规则的共顶连接构成近程层状结构。它的近程结构将不随序性或结晶性变化。它的微结构及其随热处理温度的变化主要决定于结构基元之间的关系和序性。

硫酸蚀刻溶液中InP半导体之薄膜生长（英文）

利用X-射线衍射技术研究了InP半导体在H2SO4/H2O蚀刻溶液中之薄膜生长,分析p型InP(100)在酸性蚀刻溶液中表面氧化物的化学组成.实验中,一台12 kW的铜旋转阳极X射线源用于保证高敏感度的表面型态分析.利用广角度衍射(WAD),从一个基体氧化物的晶格组界面检测衍射线来分析蚀刻溶液H2SO4/H2O.每个衍射线出现可能引起的反应物表面层反射光束的干涉图案,生成物为具有单晶结构的磷酸铟水合物(InPO4·xH2O).观察到一组(nh,nk,nl)的广角度衍射中磷酸铟水合物(InPO4·xH2O)相的反射峰,并且侦测到在每个反射光束的干扰振荡现象.利用感应电浆耦合离子发射光谱法测定溶液中的铟(In)和磷(P)成分,分析InP在不同浓度的H2SO4/H2O溶液中的溶解速率.观察发现,在InP的氧化表面上存在混合成份的氧化物和单一成份生成物.借着ICP仪器分析测试在照光或暗室下,InP在H2SO4/H2O系统的溶解率差异几乎是不可分辨的.藉由X射线结果对比JCPDS卡标准化合物中的数据,可获得酸性溶液蚀刻反应中各种表面氧化物的结构特点和反应现象.