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N*-Sc*相变序铁电液晶器件层排列研究
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作者 岱钦 乌日娜 +2 位作者 徐送宁 姜月秋 徐志洁 《沈阳理工大学学报》 CAS 2009年第2期87-89,共3页
N*-Sc*相变序铁电液晶器件具有半"V"字形电光特性,可实现连续灰度.并且自发极化值小、视角宽、响应时间为μs量级,适合TFT-LCD,但控制层排列困难.针对此缺点,实验中通过分析直流电压对铁电液晶器件层排列的影响,测量了器件电... N*-Sc*相变序铁电液晶器件具有半"V"字形电光特性,可实现连续灰度.并且自发极化值小、视角宽、响应时间为μs量级,适合TFT-LCD,但控制层排列困难.针对此缺点,实验中通过分析直流电压对铁电液晶器件层排列的影响,测量了器件电光特性,提出了N*-Sc*相变序铁电液晶分子层排列模型. 展开更多
关键词 序铁电液晶 N*-Sc*相变 层排列 直流
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