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题名混合SETMOS神经元分段线性输出函数的实现
被引量:1
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作者
冯朝文
蔡理
吴刚
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机构
空军工程大学理学院
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出处
《微纳电子技术》
CAS
2008年第5期255-259,共5页
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基金
陕西省自然科学基础研究计划项目(2005F20)
空军工程大学理学院科研资助项目(2005ZK19)
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文摘
提出了一种结构简单的神经元分段线性输出函数SETMOS实现方式。理论分析了恒流源偏置下单电子晶体管(SET)器件的特性和神经元分段线性输出函数。利用SET和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)混合结构实现了分段线性输出函数电路,并通过仿真分析得到了分段线性特性,提出了具体相应的调节方法,验证了该混合结构功能的正确性。结果表明,该混合电路具有结构简单,nm级特征尺寸,分段线性度好,静态功耗极低,约200nW,驱动负载工作能力强,输出电压可达几百毫伏,易于大规模神经网络电路的实现及应用和集成度的进一步提高。
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关键词
单电子晶体管
库仑阻塞振荡
双栅极
神经元
分段线性输出函数
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Keywords
single electron transistor (SET)
Coulomb blockade oscillation
double-gate
neu- ron
piecewise linear output function
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN389
[电子电信—物理电子学]
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