期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
延伸摩尔定律的应变硅技术 被引量:4
1
作者 王敬 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期50-56,共7页
应变硅已成为延伸摩尔定律(Moore’s Law)的重要技术手段之一。综述了应变硅技术的发展及趋势。首先,从物理理论上分析了应变对硅沟道迁移率的影响;然后介绍了现有的各种应变硅技术;最后,分析了应变硅技术的发展趋势。
关键词 CMOS 应变硅 迁移率增强 源/漏工程 应力帽层 绝缘体上应变硅
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部