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延伸摩尔定律的应变硅技术
被引量:
4
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作者
王敬
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期50-56,共7页
应变硅已成为延伸摩尔定律(Moore’s Law)的重要技术手段之一。综述了应变硅技术的发展及趋势。首先,从物理理论上分析了应变对硅沟道迁移率的影响;然后介绍了现有的各种应变硅技术;最后,分析了应变硅技术的发展趋势。
关键词
CMOS
应变硅
迁移率增强
源/漏工程
应力帽层
绝缘体上应变硅
下载PDF
职称材料
题名
延伸摩尔定律的应变硅技术
被引量:
4
1
作者
王敬
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期50-56,共7页
文摘
应变硅已成为延伸摩尔定律(Moore’s Law)的重要技术手段之一。综述了应变硅技术的发展及趋势。首先,从物理理论上分析了应变对硅沟道迁移率的影响;然后介绍了现有的各种应变硅技术;最后,分析了应变硅技术的发展趋势。
关键词
CMOS
应变硅
迁移率增强
源/漏工程
应力帽层
绝缘体上应变硅
Keywords
CMOS
Strained silicon
Enhanced mobility
Source/drain engineering
Stressed liner
Strained SOI
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
延伸摩尔定律的应变硅技术
王敬
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008
4
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