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闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理 被引量:1
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作者 刘红侠 郑雪峰 郝跃 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期5867-5871,共5页
通过实验研究了闪速存储器存储单元中应力诱生漏电流(SILC)的产生机理.研究结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要是由载流子在氧化层里充放电引起,而在高电场下,陷阱和正电荷辅助的隧穿效应导致浮栅电荷变化是引起闪速存储器失效... 通过实验研究了闪速存储器存储单元中应力诱生漏电流(SILC)的产生机理.研究结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要是由载流子在氧化层里充放电引起,而在高电场下,陷阱和正电荷辅助的隧穿效应导致浮栅电荷变化是引起闪速存储器失效的主要原因.分别计算了高场应力和低场应力两种情况下SILC中的稳态电流和瞬态电流的大小. 展开更多
关键词 闪速存储器 应力诱生漏电流 电容耦合效应 可靠性
原文传递
低电场应力下闪速存储器的退化特性
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作者 郑雪峰 郝跃 +1 位作者 刘红侠 马晓华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期2428-2432,共5页
基于负栅源边擦除的闪速存储器存储单元,研究了形成应力诱生漏电流的三种导电机制,同时采用新的实验方法对引起瞬态和稳态电流的电压漂移量进行了测量.并利用电容耦合效应模型对闪速存储器存储单元的可靠性进行了研究,结果表明,在低电... 基于负栅源边擦除的闪速存储器存储单元,研究了形成应力诱生漏电流的三种导电机制,同时采用新的实验方法对引起瞬态和稳态电流的电压漂移量进行了测量.并利用电容耦合效应模型对闪速存储器存储单元的可靠性进行了研究,结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要由载流子在氧化层里充放电引起. 展开更多
关键词 闪速存储器 应力诱生漏电流 低电场应力 电容耦合效应
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