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闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理
被引量:
1
1
作者
刘红侠
郑雪峰
郝跃
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期5867-5871,共5页
通过实验研究了闪速存储器存储单元中应力诱生漏电流(SILC)的产生机理.研究结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要是由载流子在氧化层里充放电引起,而在高电场下,陷阱和正电荷辅助的隧穿效应导致浮栅电荷变化是引起闪速存储器失效...
通过实验研究了闪速存储器存储单元中应力诱生漏电流(SILC)的产生机理.研究结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要是由载流子在氧化层里充放电引起,而在高电场下,陷阱和正电荷辅助的隧穿效应导致浮栅电荷变化是引起闪速存储器失效的主要原因.分别计算了高场应力和低场应力两种情况下SILC中的稳态电流和瞬态电流的大小.
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关键词
闪速存储器
应力诱生漏电流
电容耦合效应
可靠性
原文传递
低电场应力下闪速存储器的退化特性
2
作者
郑雪峰
郝跃
+1 位作者
刘红侠
马晓华
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期2428-2432,共5页
基于负栅源边擦除的闪速存储器存储单元,研究了形成应力诱生漏电流的三种导电机制,同时采用新的实验方法对引起瞬态和稳态电流的电压漂移量进行了测量.并利用电容耦合效应模型对闪速存储器存储单元的可靠性进行了研究,结果表明,在低电...
基于负栅源边擦除的闪速存储器存储单元,研究了形成应力诱生漏电流的三种导电机制,同时采用新的实验方法对引起瞬态和稳态电流的电压漂移量进行了测量.并利用电容耦合效应模型对闪速存储器存储单元的可靠性进行了研究,结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要由载流子在氧化层里充放电引起.
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关键词
闪速存储器
应力诱生漏电流
低电场
应力
电容耦合效应
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职称材料
题名
闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理
被引量:
1
1
作者
刘红侠
郑雪峰
郝跃
机构
西安电子科技大学微电子学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期5867-5871,共5页
基金
国家自然科学基金(批准号:60206006)
国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA1Z1070)
教育部重点科技研究计划(批准号:104172)资助的课题.~~
文摘
通过实验研究了闪速存储器存储单元中应力诱生漏电流(SILC)的产生机理.研究结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要是由载流子在氧化层里充放电引起,而在高电场下,陷阱和正电荷辅助的隧穿效应导致浮栅电荷变化是引起闪速存储器失效的主要原因.分别计算了高场应力和低场应力两种情况下SILC中的稳态电流和瞬态电流的大小.
关键词
闪速存储器
应力诱生漏电流
电容耦合效应
可靠性
Keywords
flash memory, stress induced leakage current, capacitance coupled effect, reliability
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
原文传递
题名
低电场应力下闪速存储器的退化特性
2
作者
郑雪峰
郝跃
刘红侠
马晓华
机构
西安电子科技大学微电子学院
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期2428-2432,共5页
基金
国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA1Z1070)
国防预先研究计划(批准号:41308060305)资助项目~~
文摘
基于负栅源边擦除的闪速存储器存储单元,研究了形成应力诱生漏电流的三种导电机制,同时采用新的实验方法对引起瞬态和稳态电流的电压漂移量进行了测量.并利用电容耦合效应模型对闪速存储器存储单元的可靠性进行了研究,结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要由载流子在氧化层里充放电引起.
关键词
闪速存储器
应力诱生漏电流
低电场
应力
电容耦合效应
Keywords
flash memory
stress induced leakage current
low electric field stress
capacitance coupling effect
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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作者
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1
闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理
刘红侠
郑雪峰
郝跃
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
原文传递
2
低电场应力下闪速存储器的退化特性
郑雪峰
郝跃
刘红侠
马晓华
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
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职称材料
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