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题名一种1064nm应变双量子阱激光器的设计与制作
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作者
陈福川
石英亮
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机构
重庆邮电大学光电工程学院
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出处
《电子世界》
2014年第15期157-157,159,共2页
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文摘
为能得窄谱宽、高亮度的1064nm-InGaAs/GaAs应变双量子阱激光器,分析了In组份与临界厚度、应变量的变化关系,并给出了In组份的选择范围。采用Kane模型给出了量子阱中第一分立能级分裂宽度与垒宽的关系,明确了应变双量子阱激光器中垒宽的选择。最后,通过金属有机气相沉积(MOCVD)法生长了1064nm应变双量子阱激光器,实验结果与理论计算的辐射波长值基本吻合。
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关键词
INGAAS
应变双量子阱
1064nm
半导体激光器
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分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
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题名光抽运垂直外腔面发射半导体激光器的设计与数值模拟
被引量:1
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作者
王菲
王晓华
刘向南
翁永超
房丹
方铉
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机构
长春理工大学光电工程学院
长春理工大学理学院
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
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出处
《长春理工大学学报(自然科学版)》
2010年第2期48-50,53,共4页
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基金
吉林省科技发展计划资助(20080331-1
20090555)
+1 种基金
教育部新世纪优秀人才支持计划资助(NCET-07-0122)
国家自然科学基金(60676059)
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文摘
采用多周期应变补偿InGaAs/GaAsP双量子阱结构的半导体器件作为增益介质,设计了光抽运面发射半导体激光器件结构和实验光路。在谐振腔中引入分束棱镜保证了VECSEL表面的抽运光斑为圆形光斑。计算模拟了输出功率与抽运光斑和输出镜反射率间关系曲线,优化设计了抽运功率为2W时输出镜反射率并给出了相应的输出功率与抽运功率间关系模拟曲线。
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关键词
光抽运半导体激光器
垂直外腔面发射激光器
应变补偿双量子阱
分束棱镜
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Keywords
optically pumped semiconductor laser
vertical-external-cavity-surface-emitting lasers
strain-compressive compensated double quantum well
beam splitter prism
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分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
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