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非应变盖层的应变外延层结构中失配位错的分布
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作者 金智 杨树人 +3 位作者 王本忠 孙洪波 安海岩 刘式墉 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1999年第1期67-70,共4页
利用连续介质模型,计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量.引入上下界面失配位错数目的比例因子η,利用能量最低原理,求得η的表达式.研究表明,失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关.随应变弛... 利用连续介质模型,计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量.引入上下界面失配位错数目的比例因子η,利用能量最低原理,求得η的表达式.研究表明,失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关.随应变弛豫程度和非应变盖层厚度的增加,失配位错在上界面的数目增多。 展开更多
关键词 失配位错 应变 应变外延层结构 半导体
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