期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
非应变盖层的应变外延层结构中失配位错的分布
1
作者
金智
杨树人
+3 位作者
王本忠
孙洪波
安海岩
刘式墉
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1999年第1期67-70,共4页
利用连续介质模型,计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量.引入上下界面失配位错数目的比例因子η,利用能量最低原理,求得η的表达式.研究表明,失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关.随应变弛...
利用连续介质模型,计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量.引入上下界面失配位错数目的比例因子η,利用能量最低原理,求得η的表达式.研究表明,失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关.随应变弛豫程度和非应变盖层厚度的增加,失配位错在上界面的数目增多。
展开更多
关键词
失配位错
非
应变
盖
层
应变外延层结构
半导体
下载PDF
职称材料
题名
非应变盖层的应变外延层结构中失配位错的分布
1
作者
金智
杨树人
王本忠
孙洪波
安海岩
刘式墉
机构
集成光电子国家重点联合实验室吉林大学实验区
出处
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1999年第1期67-70,共4页
基金
国家自然科学基金
自然科学基金
文摘
利用连续介质模型,计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量.引入上下界面失配位错数目的比例因子η,利用能量最低原理,求得η的表达式.研究表明,失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关.随应变弛豫程度和非应变盖层厚度的增加,失配位错在上界面的数目增多。
关键词
失配位错
非
应变
盖
层
应变外延层结构
半导体
Keywords
distribution of misfit dislocation, nonstrained capping layer, the ratio of the densities of the misfit dislocations at the upper and lower interfaces
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
O772 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非应变盖层的应变外延层结构中失配位错的分布
金智
杨树人
王本忠
孙洪波
安海岩
刘式墉
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1999
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部