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AlN/GaN异质结的价带偏移计算
1
作者
何国敏
郑永梅
王仁智
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期354-359,共6页
用平均键能方法,研究了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以GaN为衬底等三种不同应变状态下AlN/GaN应变层异质结的价带偏移.着重尝试了能带中含浅d态的情况下,用平均键能方法计算异质结的△Ev值.由于目前...
用平均键能方法,研究了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以GaN为衬底等三种不同应变状态下AlN/GaN应变层异质结的价带偏移.着重尝试了能带中含浅d态的情况下,用平均键能方法计算异质结的△Ev值.由于目前还没有可供比较的实验值或理论计算结果,为检验平均键能方法计算的可靠性,又采用能同时计入各种影响△Ev因素的较严格的超原胞(AlN)n(GaN)n(001),(n=1.3,5)界面自洽计算方法,验证超晶格中平均键能Em的“对齐”程度和价带偏移△Ev的计算结果.
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关键词
应变层异质结
价带偏移
半导体
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职称材料
光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析
被引量:
5
2
作者
李培咸
孙建诚
胡辉勇
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期293-296,共4页
本文对光化学气相淀积 Si Ge/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论 .利用表面反应动力学的有关理论 ,结合光化学气相淀积的特点 ,推导出光化学气相淀积Si Ge/Si过程中的生长速率和生长压力的关系 .并给出该理论结果和...
本文对光化学气相淀积 Si Ge/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论 .利用表面反应动力学的有关理论 ,结合光化学气相淀积的特点 ,推导出光化学气相淀积Si Ge/Si过程中的生长速率和生长压力的关系 .并给出该理论结果和实际实验结果的比较 .
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关键词
SIGE/SI
气相反应
表面反应
光化学气相淀积
生长速率
生长压力
应变层异质结
材料
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职称材料
硅基低维材料的可见光发射机理探讨
被引量:
2
3
作者
彭英才
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期146-151,共6页
Si的可见光发射是半导体发光材料研究中的一个新课题。文中从能带工程的角度出发,着重讨论了SiGe应变层异质结、Si量子细线、Si纳米团簇以及Si-O化合物年维体系的可见光发射机理,并进而探讨了提高这些娃基低线材料发光效率的可能途径。
关键词
应变层异质结
量子细线
纳米团簇
硅
锗化硅
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职称材料
半导体技术
4
《中国无线电电子学文摘》
1998年第6期32-41,共10页
关键词
半导体技术
中国科学院
固体电子学
共振隧穿
光致发光谱
X射线双晶衍射
透射电子显微镜
量子阱
应变层异质结
微细加工技术
原文传递
题名
AlN/GaN异质结的价带偏移计算
1
作者
何国敏
郑永梅
王仁智
出处
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期354-359,共6页
基金
福建省自然科学基金
文摘
用平均键能方法,研究了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以GaN为衬底等三种不同应变状态下AlN/GaN应变层异质结的价带偏移.着重尝试了能带中含浅d态的情况下,用平均键能方法计算异质结的△Ev值.由于目前还没有可供比较的实验值或理论计算结果,为检验平均键能方法计算的可靠性,又采用能同时计入各种影响△Ev因素的较严格的超原胞(AlN)n(GaN)n(001),(n=1.3,5)界面自洽计算方法,验证超晶格中平均键能Em的“对齐”程度和价带偏移△Ev的计算结果.
关键词
应变层异质结
价带偏移
半导体
Keywords
Strained layer heterojunction, Valence-band offsets
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析
被引量:
5
2
作者
李培咸
孙建诚
胡辉勇
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期293-296,共4页
基金
国防军事电子预研 8.5 .6 .5资助项目
文摘
本文对光化学气相淀积 Si Ge/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论 .利用表面反应动力学的有关理论 ,结合光化学气相淀积的特点 ,推导出光化学气相淀积Si Ge/Si过程中的生长速率和生长压力的关系 .并给出该理论结果和实际实验结果的比较 .
关键词
SIGE/SI
气相反应
表面反应
光化学气相淀积
生长速率
生长压力
应变层异质结
材料
Keywords
SiGe/Si
Gas-reaction
Surface-reaction
分类号
TN304.205 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
硅基低维材料的可见光发射机理探讨
被引量:
2
3
作者
彭英才
机构
河北大学电子与信息工程系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期146-151,共6页
基金
河北省自然科学基金!595076
文摘
Si的可见光发射是半导体发光材料研究中的一个新课题。文中从能带工程的角度出发,着重讨论了SiGe应变层异质结、Si量子细线、Si纳米团簇以及Si-O化合物年维体系的可见光发射机理,并进而探讨了提高这些娃基低线材料发光效率的可能途径。
关键词
应变层异质结
量子细线
纳米团簇
硅
锗化硅
Keywords
SiGe Strained Heterojunction
Si Quantum Wire
Si Nanometer Cluster
Si-O Compound Zero Dimesional System
Visible Light Emission
分类号
TN304.01 [电子电信—物理电子学]
O471 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
半导体技术
4
出处
《中国无线电电子学文摘》
1998年第6期32-41,共10页
关键词
半导体技术
中国科学院
固体电子学
共振隧穿
光致发光谱
X射线双晶衍射
透射电子显微镜
量子阱
应变层异质结
微细加工技术
分类号
TN [电子电信]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlN/GaN异质结的价带偏移计算
何国敏
郑永梅
王仁智
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1996
0
下载PDF
职称材料
2
光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析
李培咸
孙建诚
胡辉勇
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
5
下载PDF
职称材料
3
硅基低维材料的可见光发射机理探讨
彭英才
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998
2
下载PDF
职称材料
4
半导体技术
《中国无线电电子学文摘》
1998
0
原文传递
已选择
0
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参考文献
引证文献
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