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AlN/GaN异质结的价带偏移计算
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作者 何国敏 郑永梅 王仁智 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期354-359,共6页
用平均键能方法,研究了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以GaN为衬底等三种不同应变状态下AlN/GaN应变层异质结的价带偏移.着重尝试了能带中含浅d态的情况下,用平均键能方法计算异质结的△Ev值.由于目前... 用平均键能方法,研究了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以GaN为衬底等三种不同应变状态下AlN/GaN应变层异质结的价带偏移.着重尝试了能带中含浅d态的情况下,用平均键能方法计算异质结的△Ev值.由于目前还没有可供比较的实验值或理论计算结果,为检验平均键能方法计算的可靠性,又采用能同时计入各种影响△Ev因素的较严格的超原胞(AlN)n(GaN)n(001),(n=1.3,5)界面自洽计算方法,验证超晶格中平均键能Em的“对齐”程度和价带偏移△Ev的计算结果. 展开更多
关键词 应变层异质结 价带偏移 半导体
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光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析 被引量:5
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作者 李培咸 孙建诚 胡辉勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期293-296,共4页
本文对光化学气相淀积 Si Ge/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论 .利用表面反应动力学的有关理论 ,结合光化学气相淀积的特点 ,推导出光化学气相淀积Si Ge/Si过程中的生长速率和生长压力的关系 .并给出该理论结果和... 本文对光化学气相淀积 Si Ge/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论 .利用表面反应动力学的有关理论 ,结合光化学气相淀积的特点 ,推导出光化学气相淀积Si Ge/Si过程中的生长速率和生长压力的关系 .并给出该理论结果和实际实验结果的比较 . 展开更多
关键词 SIGE/SI 气相反应 表面反应 光化学气相淀积 生长速率 生长压力 应变层异质结材料
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硅基低维材料的可见光发射机理探讨 被引量:2
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作者 彭英才 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期146-151,共6页
Si的可见光发射是半导体发光材料研究中的一个新课题。文中从能带工程的角度出发,着重讨论了SiGe应变层异质结、Si量子细线、Si纳米团簇以及Si-O化合物年维体系的可见光发射机理,并进而探讨了提高这些娃基低线材料发光效率的可能途径。
关键词 应变层异质结 量子细线 纳米团簇 锗化硅
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半导体技术
4
《中国无线电电子学文摘》 1998年第6期32-41,共10页
关键词 半导体技术 中国科学院 固体电子学 共振隧穿 光致发光谱 X射线双晶衍射 透射电子显微镜 量子阱 应变层异质结 微细加工技术
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