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光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析 被引量：5
1
作者 李培咸 孙建诚 胡辉勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期293-296,共4页
本文对光化学气相淀积 Si Ge/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论 .利用表面反应动力学的有关理论 ,结合光化学气相淀积的特点 ,推导出光化学气相淀积Si Ge/Si过程中的生长速率和生长压力的关系 .并给出该理论结果和... 本文对光化学气相淀积 Si Ge/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论 .利用表面反应动力学的有关理论 ,结合光化学气相淀积的特点 ,推导出光化学气相淀积Si Ge/Si过程中的生长速率和生长压力的关系 .并给出该理论结果和实际实验结果的比较 . 展开更多
关键词 SIGE/SI 气相反应 表面反应 光化学气相淀积 生长速率 生长压力 应变层异质结材料
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