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应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用
1
作者
陈涌海
杨少延
王占国
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期1740-1743,共4页
用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌入中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响.根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界面失配位错密度,发现当中间层材料的晶格常数比衬底和外延层的都大或者都小并且厚度足够薄时,超薄中间层...
用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌入中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响.根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界面失配位错密度,发现当中间层材料的晶格常数比衬底和外延层的都大或者都小并且厚度足够薄时,超薄中间层可以完全吸收支撑衬底和外延层之间的应变而不产生任何界面失配位错,具有所谓无支撑衬底的应变协调作用.
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关键词
应变异质外延结构
晶格失配
可协变衬底
失配位错
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职称材料
题名
应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用
1
作者
陈涌海
杨少延
王占国
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期1740-1743,共4页
基金
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G2000068305)~~
文摘
用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌入中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响.根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界面失配位错密度,发现当中间层材料的晶格常数比衬底和外延层的都大或者都小并且厚度足够薄时,超薄中间层可以完全吸收支撑衬底和外延层之间的应变而不产生任何界面失配位错,具有所谓无支撑衬底的应变协调作用.
关键词
应变异质外延结构
晶格失配
可协变衬底
失配位错
Keywords
strained heterostructures
lattice mismatch
compliant substrate
misfit dislocation
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用
陈涌海
杨少延
王占国
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
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