大应变In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs量子阱激光器的生长和研究

金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激光器有很低的阈值电流密度(43 A/cm^2)和较高的斜率效率(0.34W/A,per facet)。

蜂窝纸板缓冲性能的研究

缓冲包装是保护在流通过程中不因受到的机械冲击而破损所施行的包装 ,因此缓冲材料的能量吸收特性和其它动、静态特性是其研究的对象。本文研究蜂窝纸板的力学性能 ,并通过静态压缩测试进一步对它的缓冲性能进行研究 ,提供了有用的ε σ和c ε曲线供缓冲设计用。

地下建筑水力分布的控制模式

众所周知,地下水会造成地下建筑物的渗漏、浮起、下陷等困扰安全使用的问题。通过有效的手段,全面获得建筑物周边的水压状态,并且有序地安排(释放或者增进)这种压力状态,就可以在使用中获得良好的效果,包括延长建筑物寿命、提高使用效率、减少能源和材料使用。文章对地下建筑水力分布的控制模式进行了研究,以供参考。

InGaAs/GaAs应变量子阱激光器MOCVD生长研究

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱(QW),通过降低生长温度、提高生长速度以及采用应变缓冲层(SBL)结构,改善了应变QW生长表面质量和器件荧光(PL)谱特性,实验表明,通过优化工艺条件和采用SBL等手段提高了应变QW质量。生长的QW结构用于1054 nm激光器的制作,经测试,器件具有较低的阈值电流和较高的单面斜率效率,性能较好。

MOCVD生长1.06μm InGaAs/GaAs量子阱LDs

用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量。PL结果表明,10s生长中断结合适当的SBL生长的量子阱PL谱较好。该量子阱应用于1.06μm激光器的制备,未镀膜的宽条激光器(100μm×1000μm)有低阈值电流密度(110A/cm2)和高的斜率效率(0.256W/A,per.facet)。

车桥撞击动力学分析模型

针对频发的车桥撞击事故，采用落锤冲击试验装置，进行了钢筋混凝土圆形桥墩模型在静力及侧向撞击荷栽下的力学性能试验，建立了车桥撞击动力学分析模型。试验结果表明：桥墩撞击荷载下破坏模式与撞击力及材料动态性能相关；基于达朗贝尔原理建立的车桥1维碰撞的单自由度、双自由度模型求解撞击力与试验值基本吻合，峰值及平均值误差分别为-15．4％和14．5％。