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超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流(英文)
1
作者
张贺秋
毛凌锋
+1 位作者
许铭真
谭长华
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期367-372,共6页
用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管 (MOSFET)隧穿电流的影响 .中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱 .对于不同的势垒变化 ,计算了电子隧穿氧化层厚度为 4nm的超薄金属氧化物半导体结构的电流 ...
用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管 (MOSFET)隧穿电流的影响 .中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱 .对于不同的势垒变化 ,计算了电子隧穿氧化层厚度为 4nm的超薄金属氧化物半导体结构的电流 .结果表明 ,中性陷阱对隧穿电流的影响不能被忽略 ,中性陷阱的存在使隧穿电流增加 ,并且通过这个简单的模型能够理解应变诱导漏电流的产生机制 .
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关键词
超薄氧化层
中性陷阱
隧穿电
流
应变诱导漏电流
场效应晶体管
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职称材料
题名
超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流(英文)
1
作者
张贺秋
毛凌锋
许铭真
谭长华
机构
北京大学微电子学研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期367-372,共6页
基金
国家重点基础研究 ( No.G2 0 0 0 -0 36 5 0 3)
博士点基金 ( No.970 0 0 113)资助项目~~
文摘
用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管 (MOSFET)隧穿电流的影响 .中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱 .对于不同的势垒变化 ,计算了电子隧穿氧化层厚度为 4nm的超薄金属氧化物半导体结构的电流 .结果表明 ,中性陷阱对隧穿电流的影响不能被忽略 ,中性陷阱的存在使隧穿电流增加 ,并且通过这个简单的模型能够理解应变诱导漏电流的产生机制 .
关键词
超薄氧化层
中性陷阱
隧穿电
流
应变诱导漏电流
场效应晶体管
Keywords
tunneling current
high- field stress
ultrathin
SIL C
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流(英文)
张贺秋
毛凌锋
许铭真
谭长华
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
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