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基于应变锗的金属—半导体—金属光电探测器
1
作者
李鸿翔
张倩
+1 位作者
刘冠宇
薛忠营
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第9期747-754,共8页
通过对锗(Ge)半导体材料进行拉伸应变和n型掺杂,可以提高其电子迁移率和发光性能。将薄膜卷曲技术与微电子加工技术相结合,制备出悬浮的Ge微米带结构,实现了单轴和双轴2种不同的应变状态,并且可以通过调整光刻图案来控制Ge的应变状态和...
通过对锗(Ge)半导体材料进行拉伸应变和n型掺杂,可以提高其电子迁移率和发光性能。将薄膜卷曲技术与微电子加工技术相结合,制备出悬浮的Ge微米带结构,实现了单轴和双轴2种不同的应变状态,并且可以通过调整光刻图案来控制Ge的应变状态和大小。利用这一方法,制备出了高性能双轴应变Ge对称型肖特基接触金属-半导体-金属(MSM)光电探测器。经测试,在1 V偏压和入射功率为1 000 nW的863 nm激光下,该探测器具有低至nA量级的暗电流和高达713的电流开/关比。该性能的实现主要是依赖于双轴应变和掺杂对Ge能带的修饰。研究结果展示了应变Ge在光电探测领域的优势,也证明了其在Si兼容光学通信设备中的应用潜力。
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关键词
绝缘体上
锗
(GOI)
应变
锗
(
ge
)
肖特基接触
光电探测器
金属-半导体-金属(MSM)
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职称材料
题名
基于应变锗的金属—半导体—金属光电探测器
1
作者
李鸿翔
张倩
刘冠宇
薛忠营
机构
上海理工大学材料与化学学院
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第9期747-754,共8页
基金
国家重点研发计划资助项目(2022YFB4401700)。
文摘
通过对锗(Ge)半导体材料进行拉伸应变和n型掺杂,可以提高其电子迁移率和发光性能。将薄膜卷曲技术与微电子加工技术相结合,制备出悬浮的Ge微米带结构,实现了单轴和双轴2种不同的应变状态,并且可以通过调整光刻图案来控制Ge的应变状态和大小。利用这一方法,制备出了高性能双轴应变Ge对称型肖特基接触金属-半导体-金属(MSM)光电探测器。经测试,在1 V偏压和入射功率为1 000 nW的863 nm激光下,该探测器具有低至nA量级的暗电流和高达713的电流开/关比。该性能的实现主要是依赖于双轴应变和掺杂对Ge能带的修饰。研究结果展示了应变Ge在光电探测领域的优势,也证明了其在Si兼容光学通信设备中的应用潜力。
关键词
绝缘体上
锗
(GOI)
应变
锗
(
ge
)
肖特基接触
光电探测器
金属-半导体-金属(MSM)
Keywords
ge
rmanium on insulator(GOI)
strained
ge
rmanium(
ge
)
Schottky contact
photo-detector
metal-semiconductor-metal(MSM)
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于应变锗的金属—半导体—金属光电探测器
李鸿翔
张倩
刘冠宇
薛忠营
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
0
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