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Ge 组分对应变 Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 电学特性影响 被引量：2
1
作者 杨洲 王茺 +2 位作者 王洪涛 胡伟达 杨宇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期547-552,共6页
利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压... 利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压的改变量与Ge组分基本成线性关系.通过改变Si1-xGex沟道的长度,并结合相关物理模型,在低电场情况下,沟道中的空穴迁移率与总电阻对沟道长度的微分成反比关系. 展开更多
关键词 应变si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 空穴迁移率 栅电容
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