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应变Si_(1-x)Ge_xpMOSFET反型沟道空穴低场迁移率模型 被引量：3
1
作者 张雪锋 徐静平 +1 位作者 邹晓 张兰君 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期2000-2004,共5页
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,提出了一个半经验的应变Si1-xGex/Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型.在该模型中,给出了迁移率随应变的变化,并且考虑了界面陷阱电荷对载流子的库仑散射作用.利用该模型对室温下空穴迁移... 在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,提出了一个半经验的应变Si1-xGex/Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型.在该模型中,给出了迁移率随应变的变化,并且考虑了界面陷阱电荷对载流子的库仑散射作用.利用该模型对室温下空穴迁移率随应变的变化及影响空穴迁移率的因素进行了分析讨论. 展开更多
关键词 P-MOSFET 应变sil Gex 空穴迁移率
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