浅谈时控及光控开关在公共照明中的应用

本文论述，通过时控及光控开关的应用，改造公共照明系统，从而达到满足照明控制要求，延长灯具寿命，节约电能。同时又降低了运行费用，提高了工作效率。

《开关电源的应用与维护》课程整体教学设计

在应用电子技术专业课程体系中,它是一门"行业概貌"类型的课程,开关电源应用相当广泛与普遍,学生通过这门课的学习对自己未来所从事的岗位和专业将会有比较深入的了解,更会对自己未来的行业有生动细致的体验。该文针对《开关电源的应用与维护》这门课整体教学设计进行探讨,突出体现了现在职业教育中以学生为主体的教学理念,通过设计不同的教学项目,来培养学生的动手能力,以适应社会的需求。

浅析分界负荷开关在10KV架空线路上的应用

我国城市建设的发展,使城市配电线路及配电设备的健康水平得到了提高,配电网整体故障率有所降低。但是,其中用户线路及其设备的故障机率随接入用户数量的增加而增大,因用户线路或其内部故障造成波及停电事故,在配电网事故总数中所占比例呈上升趋势,同时还会引发电力公司与用户、用户与用户间的经济责任纠纷。通过研究10KV用户支线的故障检测与控制技术,采用分界负荷开关在线路上的应用能有效解决上述问题,从而进一步提高配电网的可靠性。

10kV架空线就地型馈线自动化开关的应用

馈线自动化是配电自动化系统的基本组成部分,是配电自动化的所有功能中最主要的功能,是配电系统提高供电可靠性的有效手段,其功能包括对故障的检测、判断定位、隔离与网络重构。在有通信通道时,还可进行对线路节点的遥测、遥信与遥控。因此配电自动化过程中特别对于配网结构成熟、受雷击较多的架空线路,优先实施馈线自动化,可有效提高供电可靠性。

浅谈接近开关在化工生产中的应用

阐述了接近开关的特点及其分类,并叙述了电磁感应式、电容式接近开关的工作原理及其在化工生产中的几种应用,并且使用效果很好。

最简PLC的设计和应用

单片机加上接口电路,做成最简PLC。为了方便应用,电路中设置了4组4位拨码开关,可作为时间或者计数值的预置和调整。本文并通过实例详细介绍了编程和运用。

低成本Si基GaN微电子学的新进展

进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用发展的带动下,Si基GaN微电子学已进入产业化快速发展阶段。介绍了Si基GaN微电子学在射频Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)新器件结构、工艺与可靠性,Si基GaN HEMT单片微波集成电路(MMIC),Si基E模功率GaN HEMT结构设计,大尺寸Si基GaN HEMT工艺,Si基GaN功率开关器件的可靠性,Si基GaN功率变换器的单片集成和高频开关Si基GaN器件的应用创新等工程化、产业化方面的最新技术进展。分析和评价了低成本Si基GaN微电子学工程化和产业化的发展态势。

低成本Si基GaN微电子学的新进展(续)

进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用发展的带动下,Si基GaN微电子学已进入产业化快速发展阶段。介绍了Si基GaN微电子学在射频Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)新器件结构、工艺与可靠性,Si基GaN HEMT单片微波集成电路(MMIC),Si基E模功率GaN HEMT结构设计,大尺寸Si基GaN HEMT工艺,Si基GaN功率开关器件的可靠性,Si基GaN功率变换器的单片集成和高频开关Si基GaN器件的应用创新等工程化、产业化方面的最新技术进展。分析和评价了低成本Si基GaN微电子学工程化和产业化的发展态势。

半导体三极管的输入、输出特性及其开关应用

半导体(硅)三极管既是基本的放大元件,又是重要的开关元件。因此,在数字电路的学习中,要注意在理解的基础上,熟悉其输入、输出特性,掌握其开关应用,一、半导体三极管的输入特性要理解三极管的输入特性,首先应该熟悉二极管的伏安特性。1.半导体二极管的伏安特性图1.1(a)是半导体二极管的符号,1.1(b)是伏安特性——反映加在二极管两端的电压V_D和流过其中的电流I_D两者间关系的曲线。

电子技术基础(1)期末复习提要

1 半导体二极管、三极管和 MOS 管1.1 掌握的内容半导体（硅）二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点,半导体三极管（NPN 型硅管）截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点,NMOS 管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。1.2 熟悉的内容半导体硅二极管的伏安特性曲线、主要参数 IF,IR,U（BR）的物理意义,半导体三极管（NPN 硅管）输入特性和输出特性曲线、主要参数β,a,ICBO,ICEO,ICM,PCM,U（BR）CEO的物理意义,NMOS 管主要参数 UTN的物理意义及三个工作区域的特点。1.3

Zetex新一代双极技术能削减饱和电压

模拟讯号处理及功率管理解决方案供货商zetex，推出新一代低饱和电压双极晶体管。新推出的「第五代」产品，VCE(sat)比先前的同类产品低30％，同时采用先进原料与制程技术．大幅减低组件电阻，提升操作效能。

QD113B起动机

QD113B起动机是全封闭式带电磁开关及单向离合器的直流串激式电动机,适用于ST90、ST90K、0.6吨微型汽车及DA462、JL462Q发动机的起动。 该产品消化吸收了法国和日本同类产品的先进技术,创造性地将片式移动叉、固定式磁吸开关应用到该机设计中,产品结构紧凑,体积小,重量轻,起动力矩大,生产工艺先进,质量稳定可靠,达到国际80年代同类产品水平,

接插元件、继电器、开关、熔断器

Y98-61402-439 9907202无电磁干扰的固态开关=EMI free solid state switching[会,英]/Mourougayane,K.& Latheef,G.A.//1997Proceedings of the International Conference on Electro-magnetic Interference and Compatibility.—439～442(HG)本文研究了 AC 电源开关应用中与固态开关有关的电磁干扰(EMI),测试了市售固态开关的电磁兼容性(EMC),并讨论了这种开关传导辐射超出国际 EMI标准极限的问题,针对传导辐射的各种 EMC 标准,设计并测试了一种无 EMI 的固态开关,文中讨论了这种开关的设计考虑、性能和 EMI 测试结果。

IR推出坚固可靠的超高速1400 V IGBT

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)宣布推出坚固可靠的超高速1400V沟道绝缘栅双极晶体管(IGBT)IRG7PK35UD1PbF,新器件为电磁炉和微波炉等软开关应用作出了优化。IRG7PK35UD1PbF与超低正向电压二极管共同封装,由于使用IR的Gen7薄晶圆沟道技术,可提供极低VCE(ON)和超高速开关,从而把感应加热产品内的导通和开关损耗降到最低,实现高系统效率。

处理方式

Y2000-62106-343 0100913基于钨氧化物的光学数据存贮介质及其开关应用=Tungster oxide based media for optical data storage andswitching applications[会,英]/Bussjager,R.//1999IEEE Proceedings of Aerospace Conference,Vol.3 of5.—343～349(NiK)本文报道了包含钨氧化物与类似应用于光学数据存贮与开关材料的激光化学过程的最新研究结果。论文给出了这些过程与介质的基本特性,特别强调了开关次数,门限能力要求以及过程步长的选择。这些特性定义了单个存贮开关装置以及由这些装置组成系统的结构。最后论文比较了钨氧化物技术与磁光学与相变技术的性能。

膜混合集成电路、MOS集成电路

Y98-61460-146 9915116多层敷铜同高性能0.25μm 以下 CMOS 技术的综合=Integration of multi—level copper metallization into a highperformance sub-0.25μm CMOS technoloay[会,英]/Venkatesan,S.& Venkatraman,R.//1998 IEEE 2ndInternational Caracas Gonferenee on Devices,Circuits andSystems.—146～152(YG)9915117CMOS 数字摄象 IC

稳频、稳流、稳压电源

开关电源转换器的非线性与线性鲁棒控制(见0015653)硬、软开关用的平面与开槽绝缘栅双极晶体管性能评价(见0014408)具有击穿与非击穿结构的3.3KW 高压绝缘栅双极晶体管的开关性能(见0014407)软开关应用的绝缘栅双极晶体管模型验证(见0014405)