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题名KOH和TMAH基腐蚀液中凸角补偿结构的研究
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作者
孙卫华
韩建强
徐宇翔
张智超
施阁
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机构
中国计量大学机电工程学院
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出处
《中国计量大学学报》
2023年第3期421-428,共8页
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基金
浙江省自然科学基金重点项目(No.LZ22F040002)。
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文摘
目的:在湿法各向异性腐蚀MEMS微结构过程中常出现凸角底切现象,需要设计凸角补偿图案以获得完整的凸角结构。方法:实验测量了不同电阻率的硅片在KOH和TMAH基腐蚀液中的底切率和八种凸角补偿图案的补偿深度,并与理论预测的补偿深度进行对比。结果:1)在KOH腐蚀液中加入IPA,底切率没有变化;但在TMAH腐蚀液中加入IPA,底切率显著降低;2)对KOH、KOH-IPA和TMAH溶液,硼掺杂浓度对底切率的影响不大。但在TMAH-IPA腐蚀液中,随着硼掺杂浓度增加,底切率减小;3)使用叠加正方形、<100>补偿条、<100>宽梁和窄梁作为凸角补偿图案,可以获得完整的凸角;其它补偿图案在凸角处出现了削角,但占用的补偿面积较小。结论:完善了凸角补偿理论体系。
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关键词
各向异性湿法腐蚀
凸角补偿
加速度计
底切率
补偿深度
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Keywords
anisotropic wet etching
convex corner compensation
accelerometer
undercutting ratio
compensation depth
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分类号
TN305.1
[电子电信—物理电子学]
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