减少底部抗反射涂层(BARC)的缺陷:对优化与分离过滤过程和打胶过程的研究

半导体器件制造业是当今世界上最清洁的制造业之一。在当今最先进的晶圆厂当中,所有的物质都被过滤到最小的粒径。这种做法对气体来说是相当容易的,但是过滤液体时相对较难,特别是光化学物质,如底部抗反射涂层(BARC),过滤器可能会出现堵塞、过滤速率下降的问题,进而导致通过过滤器的压降增加,或者过滤器退化。论文采用三种不同的底部抗反射涂层,基于泵中的不同粒径的过滤介质,并分别采用不同的速率,研究打胶过程和过滤过程的相互作用。

光刻胶用底部抗反射涂层研究进展

随着微电子工业的蓬勃发展,光刻技术向着更高分辨率的方向迈进,运用底部抗反射涂层有效消除光刻技术中的驻波效应、凹缺效应,提高关键尺寸均一性和图案分辨率,引起了广大研究者的关注。本文简要介绍了光刻胶和光刻技术,底部抗反射涂层的分类、基本原理、刻蚀工艺以及其发展状况。重点对底部抗反射涂层的最新研究进展进行了总结,尤其是碱溶型底部抗反射涂层在光刻胶中的应用研究,最后对底部抗反射涂层的发展前景和方向进行了展望。

用于注入层用途的湿法显影有机抗反射涂层(英文)

底部抗反射涂层(BARCs)和光刻胶已被广泛地用于半导体制造中的光刻加工工艺中。BARCs在光刻中的主要好处就是聚焦?曝光宽容度的改善,提高了关键尺寸的控制,消除了反射凹口,防止远紫外抗蚀剂由基底毒化。过去,BARCs主要被用于关键图层,例如栅和接触孔图层。但是随着集成电路特征尺寸的不断缩小,BARCs在注入层中的应用中由于基片表面形态引起的反射缺口和关键尺寸变化容差也变得更小,从而使BARCs的使用变得更为迫切。我们已成功开发了专门为注入层用途的湿法显影抗反射涂层。传统的干法刻蚀不适合用于注入层,因为它的工艺复杂而且在刻蚀过程中可能导致基片损坏。评述了产生注入光刻图层的工艺并讨论了湿法显影式抗反射涂层的设计标准和要求,同时还将讨论用于注入层光刻的湿法显影抗反射图层及其工艺的挑战。