立体循环一体化氧化沟二维流场模拟分析

利用FLUENT6.3.26软件,采用RNG k-ε湍流模型对立体循环一体化氧化沟(IODVC)进行二维单相流模拟。探究下沟道底部推流器安装方式对整个流场的影响,并得出推流器最佳安装高度和安装位置。利用多重参考系模型(MRF)模拟表面转刷曝气装置的转动,采用风扇模型模拟底部推流器。结果表明:中央隔板底部是污泥淤积危险区;底部推流器安装在直道处比安装在弯道处有更好的推流效果;最佳安装位置在直段约3/4处。推流器叶片轴心高度与下沟道水深之比(y/h)为0.18时,流速大于0.25 m/s的区域占比最大,反应器循环流动效果最佳。