钙钛矿型氧化物La0.9Sn0.1MnO3庞磁阻薄膜电子结构XPS研究

用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿型氧化物La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地，我们采用角分辨X－射线光电子谱技术（ARXPS），研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明，La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上，我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

双钙钛矿型化合物LaK_(0.99)Fe_(1.2)Mo_(0.8)O_6性质的研究

合成了双钙钛矿型氧化物LaK0.99Fe1.2Mo0.8O6,并对它的结构、电磁性质等方面进行了研究.实验表明,此化合物的晶体结构属于立方晶系,空间群为Fm 3m;磁化强度随温度的升高缓慢减小;磁阻效应随着外磁场的增强而增加,当磁场为1.0 T时,磁电阻效应高达0.95,并在所研究的温度范围内基本保持不变.

薄膜厚度对La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3/TiO_2PN结整流特性的影响

采用磁控溅射法制备了La0.8Sr0.2MnO3(100nm;50nm;17nm)/TiO2(70nm)异质PN结,并对其进行电学性能研究。结果显示样品均表现出很好的整流特性。并且在La0.8Sr0.2MnO3/TiO2异质PN结中,当LSMO膜厚较薄时,由于LSMO薄膜与衬底之间的较高的应力局限了载流子浓度,导致扩散电压减小。变温电流电压特性曲线显示随着测量温度的降低,扩散电压增大,这可能由于随着测量温度的变化导致界面电子结构的变化。值得提出的,异质PN结结电阻随温度变化曲线表现出单层LSMO具有的金属绝缘相变特性,并且在低温测量时,结电阻随着测量温度的降低而增大,这可能是由于宽带隙的TiO2的引入造成的。

沉积顺序对La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3/TiO_2异质PN结整流特性的影响

采用磁控溅射法在Si衬底上通过改变沉积顺序制备两类异质PN结:La0.8Sr0.2MnO3/TiO2和TiO2/La0.8Sr0.2MnO3,并对其进行电学性能研究。结果显示Si/La0.8Sr0.2MnO3/TiO2异质PN结中的I-V特性曲线呈现线性特征。这可能是TiO2薄膜区内垂直于生长界面的缺陷使得在垂直于衬底方向上产生载流子"通道",从而导致没有整流特性。而在Si/TiO2/La0.8Sr0.2MnO3异质PN结中的I-V特性曲线却呈现良好的整流特性。这可能是La0.8Sr0.2MnO3和TiO2生长的均很致密,没有给电流提供导通通道,使得呈现明显整流特性。变温电流电压特性曲线显示整流特性出现在一个50 K到350 K广泛温区,与此同时,随着测量温度的降低,扩散电压增大,这可能由于随着测量温度的变化导致了界面电子结构的变化。

聚合物先驱溶液法制备La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_x薄膜

利用聚合物先驱溶液法在 Si O2 基片上制备了 L a0 .6 7Ca0 .33Mn Ox 薄膜 ,用 X-射线衍射仪分析的薄膜结晶情况表明了材料是一种多晶薄膜。用标准四探针法测量了薄膜的庞磁电阻效应性能。发现用这种方法在 Si O2 基片上所制得的薄膜在 2 34K左右和 5 .5 T时的磁电阻 MR达到了 4 4 % ,结果表明这种方法能够在普通 Si O2

聚合物先驱溶液成膜烧结法制备La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_x薄膜

采用了聚合物先驱溶液成膜烧结法在LaAlO3单晶上制备了La0.67Ca0.33MnOx巨磁电阻薄膜。用X-射线衍射仪分析发现,在适当条件下薄膜结晶情况类似于用PLD法所制备出的外延薄膜。用标准四探针法测量了薄膜的CMR性能。发现用该法制得的薄膜具有很大的庞磁阻(CMR)效应,并且发现不同的工艺条件如烧结温度对薄膜的CMR效应有很大影响,为化学法制备La0.67Ca0.33MnOx薄膜提供了有用参考。

La_(1-x)Sr_xMnO_3/TiO_2(x=0.2,0.15,0.04)异质pn结的整流特性

采用磁控溅射法制备的La1-xSrxMnO3(LSMO)/TiO2异质pn结表现出很好的整流特性.室温电流电压特性曲线显示随着Sr掺杂的增加,扩散电压增大,这可能由于Sr掺杂的增加导致载流子浓度增大所致.电流电压变温特性曲线显示随着测量温度的降低,扩散电压增大,这可能由于随着测量温度的变化导致界面电子结构的变化所致.值得提出的,异质pn结电阻随温度变化曲线表现出单层LSMO的金属绝缘相变特性,并且在低测量温度时表现出随着测量温度的降低结电阻增大,这可能是由于宽带隙的TiO2的引入导致.