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康普顿成像系统角分辨影响因素的理论及模拟研究
被引量:
6
1
作者
王薇
李传龙
+1 位作者
吴建华
李兴隆
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第12期2471-2477,共7页
为了对康普顿成像系统的结构设计提供参考,本文提出了一种理论与模拟计算相结合的对双层位置灵敏CZT晶体组成的康普顿成像系统散射角误差进行估算的方法,并利用该方法对康普顿成像系统散射角误差进行了研究。结果表明,对662 keV、1.33 ...
为了对康普顿成像系统的结构设计提供参考,本文提出了一种理论与模拟计算相结合的对双层位置灵敏CZT晶体组成的康普顿成像系统散射角误差进行估算的方法,并利用该方法对康普顿成像系统散射角误差进行了研究。结果表明,对662 keV、1.33 MeV和2 MeV的入射光子,该成像系统的康普顿散射角误差分别为5.54°、4.82°和4.52°,散射角误差主要来自于探测系统位置分辨本领和能量分辨本领,探测材料多普勒效应引起的角误差相对较小。合理地限制康普顿散射角范围可有效改善成像系统角分辨能力,优化成像效果。
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关键词
康普顿成像系统
散射角误差
位置灵敏CZT晶体
下载PDF
职称材料
题名
康普顿成像系统角分辨影响因素的理论及模拟研究
被引量:
6
1
作者
王薇
李传龙
吴建华
李兴隆
机构
中国原子能科学研究院辐射安全研究所
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第12期2471-2477,共7页
文摘
为了对康普顿成像系统的结构设计提供参考,本文提出了一种理论与模拟计算相结合的对双层位置灵敏CZT晶体组成的康普顿成像系统散射角误差进行估算的方法,并利用该方法对康普顿成像系统散射角误差进行了研究。结果表明,对662 keV、1.33 MeV和2 MeV的入射光子,该成像系统的康普顿散射角误差分别为5.54°、4.82°和4.52°,散射角误差主要来自于探测系统位置分辨本领和能量分辨本领,探测材料多普勒效应引起的角误差相对较小。合理地限制康普顿散射角范围可有效改善成像系统角分辨能力,优化成像效果。
关键词
康普顿成像系统
散射角误差
位置灵敏CZT晶体
Keywords
Compton imaging system
scattering angle error
position-sensitive CZT crystal
分类号
TL814 [核科学技术—核技术及应用]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
康普顿成像系统角分辨影响因素的理论及模拟研究
王薇
李传龙
吴建华
李兴隆
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
6
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职称材料
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