基于0.18μm CMOS工艺的低温漂低功耗延时电路

基于0.18μm CMOS工艺设计了一款低温漂延时电路,适用于不能使用锁相环电路又对信号传输精度有要求的低功耗传感检测应用。采用正温度系数的偏置电压,通过电流镜为延时电路提供一个正温度系数的偏置电流,利用偏置电流约束电路的延时温漂,实现温漂粗调。采用数字时间转换器,通过外部输入配置,对粗调后的延时进行动态细调,使得延时电路具有更高的动态稳定性和更低的温漂特性。电路测试结果表明,在3.3 V的电源电压下,-55~125℃内延时电路的温度系数为125×10^(-6)/℃,静态功耗仅为0.72 mW。

深度学习理念下通用技术课堂教学——以“电容在延时电路设计中的应用”为例

在深度学习理念下,通用技术教学课堂应做到:教学内容上关注核心素养,教学方式上采用项目教学,教学目标上重视全面发展。以“电容在延时电路设计中的应用”一课为例,阐述以深度学习理念指导通用技术课堂教学实践。

反熔丝FPGA延时电路γ瞬时辐射效应

简要叙述了反熔丝FPGA的基本结构,介绍了一种FPGA延时电路的工作原理以及利用该电路在“强光一号”脉冲加速器上进行γ瞬时辐照试验的方法,给出了试验测量结果。分析表明:高剂量率γ瞬时电离辐射会破坏FPGA延时电路一个信号周期的工作状态,因此存在功能失效的可能性。但就整体而论,反熔丝FPGA抗瞬时辐射的性能要优于其它许多大规模CMOS集成电路。

延时电路在高温湿气环境中的腐蚀行为与机理研究

目的提高延时电路的贮存环境适应性。方法在80℃、90%RH的湿热条件下,开展延时电路实验室加速老化试验,分别在老化0、97、133 d时取样,检测电性能,分析电路外表面腐蚀损伤特征,测试内部缺陷和多余物,检查腔体密封性,定位失效部位,观测内部芯片腐蚀损伤特征,检测腐蚀产物,分析高温湿气对延时电路外引线-玻璃界面密封性失效与可伐合金基体腐蚀的作用机制。结果湿热老化133 d时,延时电路输出端3无输出波形。随湿热老化时间的延长,外引线-玻璃界面缝隙腐蚀程度逐渐加深,氦漏率单调上升,壳体密封性逐渐降低乃至失效。外界湿气进入延时电路内部,整个老化周期内部芯片无缺陷,但133 d时电路内腔出现多余物,位于第14外引脚引线柱边缘处,也是导通测试定位的失效点。该引线柱的可伐合金基体与其上的镀金层在高温湿气的作用下,由于电位差形成腐蚀电池,可伐合金作为阴极与湿气和氧发生电化学腐蚀,生成腐蚀产物并覆盖于镀金表面,导致第14外引脚与其上的金键合丝之间开路,延时电路失效。结论降低延时电路贮存环境湿度,同时改进生产工艺,在金属-玻璃封接界面形成一层厚度适当的致密氧化膜过渡层,可延缓湿气进入电路内部。增大可伐合金基体镀金层或镀镍层厚度,可减小基体发生电化学腐蚀几率,提高延时电路贮存环境适应性。

精密延时电路在高速数据采集系统的研究

介绍了数字可编程精密延时器AD9501内部线性斜波发生器的精密延时电路原理,以AD9501为延时核心器件设计了精密延时电路,并设计了AD9501的完全复位电路,所设计的延时电路能达到10 ps,实验证明,本数据采集系统精度高,通过等效采样技术能采集到30 GHz的高频地质雷达反射波信号,在测控领域具有重要的理论和实践意义。

简易长时间延时电路

对采用CMOS缓冲器组成电容充放电式长时间延时电路进行了研究.讨论了其电路组成和参数设计,并通过电路仿真证明了其可行性.具有电路简单、延时时间长、成本低、寿命长等特点.特别适用于对延时精度要求不高的长时间延时控制的应用场合.若充放电电路中采用温度性能稳定的高精度电阻、电位器和电容元件组成,也可用于对延时精度要求较高的长时间延时控制的应用场合.

毛细管放电软X光激光预-主脉冲延时电路

以预 主脉冲方式工作的激励软X光激光毛细管放电装置,其预 主脉冲先后触发时间间隔的控制,直接影响了泵浦能量转换为X射线激光能量的效率。运用光电耦合及脉冲变压器隔离等技术,将集成芯片构成的延时电路用于快速高压放电装置中。实验结果表明,预 主脉冲协调工作,延时触发2～50μs,为产生软X光激光提供了条件。

高速数据采集系统中精密延时电路的研究

介绍了数字可编程精密延时器AD9501内部线性斜波发生器的精密延时电路原理,以AD9501为延时核心器件设计了精密延时电路,并设计了AD9501的完全复位电路,所设计的延时电路能达到10ps,实验证明,本数据采集系统精度高,通过等效采样技术能采集到30GHz的高频地质雷达反射波信号,在测控领域具有重要的理论和实践意义。

皮秒级精密延时电路的研究

基于斜波式发生器电路充放电原理,设计了皮秒级精密延时电路。采用搭建分立电子元器件的方法,将电路核心器件AD放大器恒流接收器与场效应管源级组合,设计可变档位的高精密恒流源电路,并对精密电容充放电进行计时。给出了皮秒级精密延时电路部分关键电路,进行了可变档位的充电电流参数详细推导计算,并给出了充电电流档位码字。精密延时电路最小延时时间间隔达到2 ps,在电子电路应用中具有重要的意义。

可编程数字控制精密延时电路设计

设计一种基于斜波式发生器原理可编程数字控制精密延时电路,用恒流源电路充放电和18位的DA转换器分别接入高速比较器的两端,DA转换器预先设定一电压基准,恒流源充电电容达到电压基准,高速比较器开始反转,形成一个触发脉冲信号,然后充电电容通过高速二极管快速放电重新计时。设计成18bit数字控制可编程动态范围2ps的采集时间间隔,提高采集信号的精度和频率。

高速数据采集系统中斜波式延时电路的设计

高频信号的采集和提高信号采集的精度是信号处理领域需要着重研究的课题。首先介绍了数据采集系统的结构和功能,然后研究了基于斜波的数字可编程精密延时器电路原理,并设计了基于斜波的精密延时电路,最小延时精度可达8ps,实际结果能采集到高达50GHz高频信号。

XG200C型医用诊断X射线机延时电路故障分析与检修

目前，在西藏县级医院使用较多的医用X射线机是 7815后使用万用表测量发现其 上海医疗器械厂生产的XG200C麵用诊断X射线机，已损坏，更换同型号电容和三 通过对其延时电路故障实例进行分析，介绍XG200C型极管7815后通电试机故障依然關X射线机延时电路的故障检修处理方法。

一种反延时电路的可靠性评估

针对反延时难以实现的状况,提出了用延时电路并联实现反延时的方法,并用极大似然法和经验Bayes法讨论了系统可靠性评估问题,给出了系统失效率、可靠度和平均寿命等可靠性指标的估计。利用计算机Monte-Carlo随机模拟的方法对可靠性指标的Bayes估计和极大似然估计进行比较,结果表明,经验Bayes估计优于极大似然估计。

基于延时电路的高频高压激励电缆故障测距方法

针对传统高频高压激励电缆故障测距方法精度不高的问题,提出了一种基于延时电路的高频高压激励电缆故障测距检测方法。首先,结合弱电网条件下的运行稳定性监测方法进行电力特征分析和参数识别;然后,采用电压输出稳定性测试方法提取电缆故障的高分辨频谱特征;在此基础上,根据输出电压和负载差异性进行延时电路控制和负载均衡调度,构建高频高压激励电缆故障特征分布的贝叶斯网络模型;最后,对故障测距参数进行估计,并判断电流故障输出的收敛性,根据负荷差异性特征实现故障测距和优化检测。仿真结果表明,该方法的检测准确性较高,测距结果分布均匀,且具有故障自适应定位检测能力。

基于Multisim的声光控制延时电路的设计探究

声光控制照明电路的设计,通过对光线、声音的信号采集来控制照明灯的自动开启,对输入电压进行稳压调节来提高用电效率,从而有效节约灯耗照明电量。设计电路构成具有声音控制、光控制和延时的功能[1-2],且延时时间可以根据使用环境自行设定,不仅成本低,而且安全可靠,适用于各种照明场所的自动控制,可以达到节约能源而使用便利的效果。

稳定低功耗CMOS延时电路

文章提出一种稳定的低功耗 CMOS 延时电路结构。在 CMOS 闸流晶体管概念的基础上,延时值可以通过控制电流在很大的范围内变化。相比较于传统的 RC 延时电路以及基于倒向器的延时电路,这种结构对电源和温度变化的敏感度更小,更稳定。

定数截尾有缺失场合反延时电路可靠性分析

在定数截尾数据有缺失的情形下,对单个电子元器件寿命服从单参数指数分布的反延时电路系统进行了可靠性分析。应用Bayes方法并结合矩估计法,得到了单个电子元器件的失效率、系统可靠度及系统平均寿命3个可靠性指标的Bayes估计。数值模拟算例表明,所得可靠性指标的Bayes估计的精度高于可靠性指标的极大似然估计(MLE),Bayes估计和极大似然估计的估计效果均随着数据缺失个数的增加而变差,并且Bayes估计受数据缺失个数的影响小于极大似然估计。

对延时电路的研究

随着CMOS技术的持续发展,数字测试系统或自动测试装置的定时边沿、数据率、集成度等要求也随之增加。延时技术的重要性越发明显,对其要求也越来越高,精密延时电路的设计成为了一项必不可少同时也非常重要的一个技术。文章综述了延时电路的进展和研究。

低功耗单片可预置延时电路的设计

本文分析了CMOS电路的功耗模型，并得出了几种降低电路功耗的措施。这些措施应用到“低功耗单片可预置延时电路”的设计中得到了很好的结果，并且这种低功耗设计方案也可以应用到很多其它的电路设计中。