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考虑电容充放电延迟的永磁起动/发电系统模式切换策略
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作者 刘剑宇 董婷 《电机与控制应用》 2023年第7期59-65,共7页
针对永磁起动/发电系统在模式切换过程中出现电压坠落的问题,本文在传统模式切换策略的基础上,提出了一种考虑电容充放电延迟的模式切换策略。通过考虑电容充放电延迟过程,改变控制结构与电气负载开关切换时间,降低切换过程中的坠落电... 针对永磁起动/发电系统在模式切换过程中出现电压坠落的问题,本文在传统模式切换策略的基础上,提出了一种考虑电容充放电延迟的模式切换策略。通过考虑电容充放电延迟过程,改变控制结构与电气负载开关切换时间,降低切换过程中的坠落电压。在模式切换控制器中设置发电模式转速阈值,使其在发动机故障转速无法维持发电模式时平稳切换至起动模式。该切换策略提高了系统的稳定性。通过仿真试验,验证了上述切换策略的正确性和可行性。 展开更多
关键词 永磁起动/发电系统 模式切换策略 电容充放电延迟 发电模式转速阈值
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真空断路器在机械冲击下延迟放电
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作者 麻剑方 《真空电器技术》 1995年第1期24-28,共5页
我们已经测量了电流断开后真空断路器内延迟放电与作用于真空断路器的真空灭弧室上的机械力、电动力之间的函数关系。而且还发现了发生强烈的属冲击型的高达10^4m/s^2的加速度值与延迟放电概率的增值之间的修正关系。通过使用... 我们已经测量了电流断开后真空断路器内延迟放电与作用于真空断路器的真空灭弧室上的机械力、电动力之间的函数关系。而且还发现了发生强烈的属冲击型的高达10^4m/s^2的加速度值与延迟放电概率的增值之间的修正关系。通过使用简单的机械阻尼法减小冲击波幅值可以使延迟冲击概率下降50%。由此得出,在试验中观察到的大多数延迟放电都是由于松散地附在触头表面和蒸汽屏蔽筒表面的微粒以及在强烈冲击下被释放的微粒引起的。 展开更多
关键词 真空断路器 机械冲击 延迟放电
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气隙局部放电模型改进及仿真 被引量:15
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作者 丁然 田野 +1 位作者 任红向 梁睿 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期3934-3940,共7页
为进一步了解局部放电产生机理和放电特性,有必要对局部放电进行有效地仿真。针对已有仿真模型忽略了绝缘介质对放电过程的影响等问题,在了解局部放电实验特性和物理过程的基础上,根据放电电荷在气隙中的衰减规律计算出了不同电压极性... 为进一步了解局部放电产生机理和放电特性,有必要对局部放电进行有效地仿真。针对已有仿真模型忽略了绝缘介质对放电过程的影响等问题,在了解局部放电实验特性和物理过程的基础上,根据放电电荷在气隙中的衰减规律计算出了不同电压极性情形下的放电延迟时间,通过计算明确了放电起始和熄灭条件,引入了气隙温度和压强对放电特性的影响,提出含有感应电荷附加电容的单气隙绝缘介质局部放电仿真模型。通过MATLAB/SIMULINK仿真得出当电压极性不变时,气隙两端电压波形较之极性变化时具有较小的放电延迟时间,而放电脉冲电流较之极性变化时具有较小的幅值。该模型能很好地符合局部放电理论,能够有效地模拟气隙局部放电。 展开更多
关键词 放电延迟 放电起始和熄灭 电荷衰减 附加电容 局部放电模型
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触发型真空弧放电特性研究 被引量:2
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作者 万翔 杨林 +3 位作者 陈磊 金大志 向伟 肖坤祥 《真空》 CAS 2014年第2期66-69,共4页
基于沿面放电设计了短间距的触发型真空弧放电装置,利用高速相机研究了触发真空弧放电特性,获得了不同放电时刻的放电图像。通过分析放电图像,发现主弧放电开始阶段,主弧电流主要为电子电流,而且在阳极附近观察到较强的离子电流。研究... 基于沿面放电设计了短间距的触发型真空弧放电装置,利用高速相机研究了触发真空弧放电特性,获得了不同放电时刻的放电图像。通过分析放电图像,发现主弧放电开始阶段,主弧电流主要为电子电流,而且在阳极附近观察到较强的离子电流。研究发现阴极斑的形成和等离子体的扩散是主间隙击穿的关键因素。初始阴极斑不仅为触发回路提供载流子,同时影响着主间隙的击穿。文章讨论了阴极表面离子鞘层对表面电场的影响,阴极表面场强可达107V/m。同时本文讨论了背景气压对电极间隙放电延迟时间的影响。 展开更多
关键词 沿面放电 触发型真空弧放电 阴极斑 放电延迟时间
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大脑前额叶与工作记忆 被引量:3
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作者 鲁白 《科学》 2017年第2期46-49,共4页
人们对大脑的认知功能知之甚少,其中类似于电脑内存的大脑前额叶除了承担短暂记忆和信息加工的基本功能外,更与纠错、信息整合、目标规划、预期、规则学习、逻辑推理等有关。
关键词 前额叶皮层 工作记忆 滞后样本配对 延迟期持续放电 纠错功能 信息整合 目标规划
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脉冲等离子体推力器点火可靠性试验研究 被引量:3
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作者 丁一墁 刘向阳 +4 位作者 黄昕昊 LING Yeong Liang 武志文 谢侃 王宁飞 《推进技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期205-211,共7页
为了得到PPT点火可靠性表征参量的内在联系及放电能量对其影响规律,开展了传统PTFE与掺碳PTFE两种工质的可靠性试验研究,通过记录点火故障率和分析放电延迟时间,得到了不同工质PPT的点火可靠性,为PPT点火可靠性分析提供了新的研究思路... 为了得到PPT点火可靠性表征参量的内在联系及放电能量对其影响规律,开展了传统PTFE与掺碳PTFE两种工质的可靠性试验研究,通过记录点火故障率和分析放电延迟时间,得到了不同工质PPT的点火可靠性,为PPT点火可靠性分析提供了新的研究思路。研究结果表明:在不同放电电压下,PTFE工质PPT放电延迟时间随点火次数增加的变化规律明显不同。放电电压为1kV时,放电延迟时间在1μs^15μs内变化,在初始阶段时明显增加,然后在波动中上升,并伴随有点火故障发生;放电电压为1250V和1500V时,放电延迟时间在1μs^5μs之内波动,且没有点火故障发生。两种工质的放电延迟时间均随点火故障率增加呈非线性规律变化,掺碳PTFE的放电延迟阈值与放电电压之间呈指数函数规律变化。 展开更多
关键词 脉冲等离子体推力器 放电延迟时间 点火可靠性 电推进 试验
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碳纳米管功能层在等离子体显示中的应用研究(英文) 被引量:1
7
作者 邓江 王小菊 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期151-154,共4页
采用喷涂法在等离子体显示面板(AC PDP)的Mg O保护层上喷涂碳纳米管(CNTs)作为功能层,研究该复合型保护层的可见光透过率和放电性能。结果表明,CNTs/Mg O保护层的可见光透过率超过80%。且与纯Mg O保护层相比,CNTs/Mg O保护层单元的着火... 采用喷涂法在等离子体显示面板(AC PDP)的Mg O保护层上喷涂碳纳米管(CNTs)作为功能层,研究该复合型保护层的可见光透过率和放电性能。结果表明,CNTs/Mg O保护层的可见光透过率超过80%。且与纯Mg O保护层相比,CNTs/Mg O保护层单元的着火电压和放电延迟时间明显降低。在100 torr、10%Xe+Ne的放电条件下,CNTs/Mg O保护层的着火电压和放电延迟时间分别为263.5 V和270 ns,与纯Mg O保护层相比,分别降低了15%和26%。因此,CNTs/Mg O保护层在AC PDP中具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 碳纳米管 放电延迟时间 着火电压 保护层 透过率
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用于AC-PDP保护层的六硼化镧薄膜的制备与性能研究
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作者 徐晓 王怡 +1 位作者 牛童 王小菊 《电子器件》 CAS 北大核心 2014年第6期1021-1025,共5页
采用丝网印刷法在PDP的传统Mg O保护层上制备了六硼化镧薄膜。改变工艺参数,测试了La B6/Mg O薄膜的表面形貌和光学性能,并对透明的La B6/Mg O薄膜在Xe/Ne混合气体中的放电性能进行了测试。实验结果表明,采用400目丝网和球磨后的La B6... 采用丝网印刷法在PDP的传统Mg O保护层上制备了六硼化镧薄膜。改变工艺参数,测试了La B6/Mg O薄膜的表面形貌和光学性能,并对透明的La B6/Mg O薄膜在Xe/Ne混合气体中的放电性能进行了测试。实验结果表明,采用400目丝网和球磨后的La B6粉末有利于提高La B6/Mg O薄膜的透过率,相比于原有的Mg O衬底,透过率达到90%以上。放电测试结果表明,印刷了La B6薄膜的Mg O+La B6样品的放电性能优于传统的Mg O保护层,其中着火电压降低了7%左右,放电延迟降低了9%左右。 展开更多
关键词 PDP 丝网印刷 透过率 着火电压 放电延迟
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丝网印刷制备适用于AC-PDP的LaB_6介质保护层的研究
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作者 杜螣杰 林祖伦 王小菊 《电子器件》 CAS 北大核心 2013年第1期9-12,共4页
为了进一步降低PDP面板着火电压,提高其放电效率,采用丝网印刷方法在商用PDP玻璃衬底上印刷LaB6薄膜。分别对PDP玻璃衬底上印刷的LaB6薄膜的可见光范围内的透过率、薄膜表面形貌进行了研究;对印刷了LaB6薄膜的PDP玻璃衬底进行了封装,测... 为了进一步降低PDP面板着火电压,提高其放电效率,采用丝网印刷方法在商用PDP玻璃衬底上印刷LaB6薄膜。分别对PDP玻璃衬底上印刷的LaB6薄膜的可见光范围内的透过率、薄膜表面形貌进行了研究;对印刷了LaB6薄膜的PDP玻璃衬底进行了封装,测试了其在Xe-Ne环境下的放电特性。结果表明,印刷了LaB6作为添加层的放电单元相比传统单一MgO保护层的放电单元,其着火电压和放电延迟分别降低了5%和25%。说明采用高二次电子发射系数的六硼化镧材料能够有效提升PDP的放电性能。 展开更多
关键词 AC-PDP 着火电压 丝网印刷 六硼化镧 透过率 放电延迟
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Delayed presentation of intrathoracic esophageal perforation after pneumatic dilation for achalasia 被引量:5
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作者 Ming-Tzung Lin King-Wah Chiu +5 位作者 Yeh-Pin Chou Ming-Chao Tsai Tsung-Hui Hu Chuan-Mo Lee Chi-Sin Changchien Seng-Kee Chuah 《World Journal of Gastroenterology》 SCIE CAS CSCD 2009年第35期4461-4463,共3页
Pneumatic dilation(PD)is considered to be a safe and effective first line therapy for achalasia.The major adverse event caused by PD is esophageal perforation but an immediate gastrografin test may not always detect a... Pneumatic dilation(PD)is considered to be a safe and effective first line therapy for achalasia.The major adverse event caused by PD is esophageal perforation but an immediate gastrografin test may not always detect a perforation.It has been reported that delayed management of perforation for more than 24 h is associated with high mortality.Surgery is the treatment of choice within 24 h,but the management of delayed perforation remains controversial.Hereby,we report a delayed presentation of intrathoracic esophageal perforation following PD in a 48-year-old woman who suffered from achalasia.She completely recovered after intensive medical care.A review of the literature is also discussed. 展开更多
关键词 Intrathoracic esophageal perforation Delayed presentation Pneumatic dilation Esophagealachalasia
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皮下埋藏式心脏转复除颤器技术研究进展 被引量:5
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作者 李延广 时向民 +2 位作者 李健 单兆亮 王玉堂 《中国心脏起搏与心电生理杂志》 2017年第2期95-100,共6页
皮下埋藏式心脏转复除颤器(ICD)(S-ICD)技术是预防心源性猝死(SCD)的新尝试,避免了传统静脉ICD的导线并发症,适用于导线并发症发生率高、无起搏指征、预期生存时间长的年轻患者。众多临床研究证实了S-ICD在治疗SCD中的有效性、安全性。S... 皮下埋藏式心脏转复除颤器(ICD)(S-ICD)技术是预防心源性猝死(SCD)的新尝试,避免了传统静脉ICD的导线并发症,适用于导线并发症发生率高、无起搏指征、预期生存时间长的年轻患者。众多临床研究证实了S-ICD在治疗SCD中的有效性、安全性。S-ICD系统主要由脉冲发生器、皮下电极、体外程控仪构成。S-ICD存在延迟放电、不恰当放电、高能放电、无起搏功能、兼容性等尚存争议的问题。S-ICD在一定适应证范围内有潜在大的应用前景。 展开更多
关键词 心血管病学 皮下埋藏式心脏转复除颤器 综述 研究进展 植入术 延迟放电 不恰当放电
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Multi-stage dual replica bit-line delay technique for process-variation-robust timing of low voltage SRAM sense amplifier
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作者 Chao WU Lu-ping XU +1 位作者 Hua ZHANG Wen-bo ZHAO 《Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering》 SCIE EI CSCD 2015年第8期700-706,共7页
A multi-stage dual replica bit-line delay (MDRBD) technique is proposed for reducing access time by suppressing the sense-amplifier enable (SAE) timing variation of low voltage static randomaccess memory (SRAM) ... A multi-stage dual replica bit-line delay (MDRBD) technique is proposed for reducing access time by suppressing the sense-amplifier enable (SAE) timing variation of low voltage static randomaccess memory (SRAM) applications. Compared with the traditional technique, this strategy, using statistical theory, reduces the timing variation by using multi-stage ideas, meanwhile doubling the replica bit-fine (RBL) capacitance and discharge path simultaneously in each stage. At a supply voltage of 0.6 V, the simulation results show that the standard deviations of the SAE timing and cycle time with the proposed technique are 69.2% and 47.2%, respectively, smaller than that with a conventional RBL delay technique in TSMC 65 nm CMOS technology (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Taiwan). 展开更多
关键词 Process-variation-robust Sense amplifier (SA) Replica bit-line (RBL) delay Timing variation
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