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位错密度对大块Fe-3%Si单晶延-脆转变温度的影响
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作者 鲍进生 杨成 哈宽富 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期A197-A200,共4页
实验证明位错密度有两个量级差异的Fe-3%Si单晶体的延-脆转变温度几乎不变,但与Fe-3%Si多晶体的转变温度比较相去甚远。
关键词 位错密度 延-脆转变温度 单晶 铁硅单晶
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