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位错密度对大块Fe-3%Si单晶延-脆转变温度的影响
1
作者
鲍进生
杨成
哈宽富
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第5期A197-A200,共4页
实验证明位错密度有两个量级差异的Fe-3%Si单晶体的延-脆转变温度几乎不变,但与Fe-3%Si多晶体的转变温度比较相去甚远。
关键词
位错密度
延-脆转变温度
单晶
铁硅单晶
下载PDF
职称材料
题名
位错密度对大块Fe-3%Si单晶延-脆转变温度的影响
1
作者
鲍进生
杨成
哈宽富
机构
吉林大学
出处
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第5期A197-A200,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
实验证明位错密度有两个量级差异的Fe-3%Si单晶体的延-脆转变温度几乎不变,但与Fe-3%Si多晶体的转变温度比较相去甚远。
关键词
位错密度
延-脆转变温度
单晶
铁硅单晶
Keywords
dislocation density, ductile
-
brittle transition temperature, single crystal
分类号
O736 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
位错密度对大块Fe-3%Si单晶延-脆转变温度的影响
鲍进生
杨成
哈宽富
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
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