大功率高频开关电源变压器设计与损耗分析

对高频开关电源的变压器建立了实际等效电路,建立了变压器功率损耗模型。重点对高频开关电源变压器的损耗进行了分析与计算并提出了解决办法,对25kW高频开关电源进行了设计与计算。对设计的开关电源进行数据测试,结果显示该开关电源大大提高了功率因数和效率。

SiC肖特基二极管在大功率PFC中的应用

有源功率因数校正(Active Power Factor Correction,简称APFC)是大功率电源应用的一项关键技术。分析了Boost PFC电路中半导体器件的开关损耗以及SiC肖特基二极管的工作特性。SiC肖特基二极管可以有效降低开关损耗,并有助于大功率APFC电路实现高频率应用。在一台3.6kW的样机上,利用SiC肖特基二极管实现了150kHz的开关工作频率。

SiC JFET SJEP120R063特性分析及其在逆变器中的应用

介绍了SiC JFET SJEP120R063的工作特性,由于该器件正向损耗低,可有助于提高大功率逆变电路的开关频率和工作效率。设计了采用SJEP120R063实现的三相逆变器,并进行了实验研究,结果表明用具有较小的导通电阻和正向损耗的SJEP120R063,逆变器的工作效率可以提高到98%。

埋氧沟槽栅双极模式JFET的仿真与实验(英文)

提出了埋氧沟槽栅双极模式JFET(BTB-JFET),其在栅极区域下面添加埋氧以减小栅漏电容Cgd.首次通过仿真对包括BTB-JFET、常规的无埋氧层的沟槽栅双极模式JFET(TB-JFET)和现在正在广泛应用的Trench-MOSFET(T-MOSFET)等20V级的功率开关器件在高频应用时的功率损耗进行了比较,得到有重要意义的结论.采用阻性负载电路.仿真结果表明,与T-MOSFET和常开型TB-JFET相比,常开型BTB-JFET在1MHz时开关功耗分别降低了37%和14%.进行实验以证明仿真工作的合理性,首次成功地制造出常开型BTB-JFET和TB-JFET,其中埋氧结构是通过热氧化的方法实现的.实验结果表明,与TB-JFET相比,在源漏零偏压时,BTB-JFET的Cgd减小了45%;在1MHz时,其开关时间与开关功耗分别降低了约7.4%和11%.因此常开型BTB-JFET应是今后低压高频功率开关器件的研究发展方向.