一种高效、低功耗开关电源的研究与设计

介绍了中功率开关电源系统所用的最新控制芯片和技术,包括功率因数校正、半桥驱动和负载监控等,并通过调试证明其具有高效、低功耗特点。

德州仪器推出适用于便携应用的新型低功耗双SPDT模拟开关

日前,德州仪器(TI)宣布推出新型低功耗双单刀双掷(SPDT)模拟开关 TS5A23157。该器件针对1.65 V～5.5 V Vcc 之间的工作条件进行了精心设计,不仅能够提供低功耗与高速率,而且能够保持出色的信号完整性,因而是模拟信号路由、信号闸控以及数字信号多路复用与多路解复用等应用的理想选择。该器件功耗低(5.5 V

几种Boost电路的功率损耗分析与实验研究

针对开关器件、电感在Boost电路中的损耗,分析了硬开关、ZVT和改进的ZVTBoostPFC变换器的功率损耗。并且采用功率因数校正集成电路UC3854,UC3855分别实现3000W硬开关、ZVT和改进的ZVTBoostPFC变换器,通过分析比较3种电路的功率损耗,验证了BoostPFC电路功率损耗计算方法的正确性。

应用于生物电信号检测的低功耗SAR ADC电路设计

为提高生物电信号检测系统的续航能力,设计了一种低功耗逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。为了降低SAR ADC的功耗,提出一种新型的数模转换器(DAC)开关切换策略。除了降低DAC部分的功耗外,还实现了DAC输出共模稳定,使得采用最简单的动态锁存比较器就可满足要求。SAR ADC在UMC 80 nm CMOS工艺下进行设计和仿真,仿真结果表明:在1 V电源电压和200 k Hz的采样频率下,功耗为525 n W,有效位为9. 96,品质因数FOM值为2. 6 f J/Conv。

带绝缘槽的SOI RESURF LDMOS的栅电荷分析

栅电荷提供关于功率MOSFET的电容、驱动需求和开关功耗等信息,是衡量MOSFET性能的主要指标。基于Won-So Son等人提出的SOI基绝缘槽结构LDMOS(TR-LDMOS)的RESURF条件[1],建立器件的栅电荷分析模型,发现TR-LDMOS所需Qgd比普通RESURF LDMOS(LR-LDMOS)少13.85%,所需Qg比LR-LD-MOS少17.65%;完成对密勒电容充电的时间TR-LDMOS要比LR-LDMOS少用50ns。在TR-LDMOS模型基础上,结合仿真对沟道区不同时刻载流子分布的描述,更细致地阐述了功率器件在开启过程中的状态变化;并且应用比较分析的方法,解释无源器件对TR-LDMOS开启的时间和功耗所产生的影响。在降低功率器件开启功耗的原则下,得到有助于器件设计的应用性结论。

一种新型的公用变电站用智能型综合配电箱(GZPZ)的设计实现

本文介绍一种具有集电能计量、测量与控制、模块化智能动态型无功补偿装置于一体的新型公用变电站用智能型综合配电箱,用它可以对公用变电站实现电能计量、测量、控制、自动智能式无功补偿,提高电网供电质量、降低电能损失、节能降耗,并可实现智能自动化配网功能。